Поиск

Полнотекстовый поиск:
Где искать:
везде
только в названии
только в тексте
Выводить:
описание
слова в тексте
только заголовок

Рекомендуем ознакомиться

'Документ'
В социальной психологии под группой понимается двое или более индивидов, имеющих общие цели и устойчивые отношения, а также в определенной степени вза...полностью>>
'Документ'
Среда программирования Scratch позволяет детям создавать собственные анимированные и интерактивные проекты: игры, мультики и другие произведения. Ими ...полностью>>
'Документ'
При разработке рабочих деталировочных чертежей стальных конструкций (чертежей КМД) конструкторы решают значительное количество вопросов, которые могут...полностью>>
'Документ'
) Физики Квантовая механика Физики Электротехника Технологии и предпринимательства Радиотехника Технологии и предпринимательства Основы микроэлектрони...полностью>>

Главная > Программа дисциплины

Сохрани ссылку в одной из сетей:
Информация о документе
Дата добавления:
Размер:
Доступные форматы для скачивания:

Правительство Российской Федерации

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования

Национальный исследовательский университет

«Высшая школа экономики»

Московский институт электроники и математики Национального

исследовательского университета «Высшая школа экономики»

Факультет Электроники и телекоммуникаций

Программа дисциплины «ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ИОННО-ПЛАЗМЕННОЙ ТЕХНОЛОГИИ»

для направления 210100.62 «Электроника и наноэлектроника»

подготовки бакалавра

Автор программы: Ф.И.Григорьев, проф. каф.ЭиН, fgrigoryev@hse.ru

Одобрена на заседании кафедры

«Электроника и наноэлектроника» «___»__________2013г.

Зав. кафедрой К.О.Петросянц_________________

Рекомендована профессиональной

коллегией УМС по электронике «___»___________20 г.

Председатель С.У.Увайсов____________________

Утверждена Учёным советом МИЭМ «___»___________20 г.

Учёный секретарь В.П.Симонов________________

Москва, 2013

  1. Цели и задачи дисциплины

Целью дисциплины «Физические основы ионно-плазменной технологии» является приобретение студентами знаний о физических принципах ионно-лучевых , ионно-плазменных, плазмохимических и ионно-химических процессов, которые используются в производстве полупроводниковых приборов и ИС.

Задачи дисциплины состоят в:

• изучении процессов взаимодействия ионных пучков и низкотемпературной плазмы с твердыми телами;

• изучении свойств материалов модифицированных воздействием ионных пучков и низкотемпературной плазмы;

• ознакомлении с современным научно-техническим уровнем ионно-плазменной технологии.

  1. Место дисциплины в структуре ООП:

Дисциплина «Физические основы ионно-плазменной технологии» требует наличия у студента знаний, умений и навыков, полученных в ходе изучения дисциплин «Физика конденсированного состояния», «Физика полупроводников», «Вакуумная и плазменная электроника».Для изучения дисциплины студент должен обладать следующими компетенциями:

• ОК-10 – Способностью использовать основные законы естественнонаучных дисциплин в профессиональной деятельности, применять методы математического анализа и моделирования, теоретического и экспериментального исследования.

• ПК-1 – Способностью представлять адекватную современному уровню знаний научную картину мира на основе знания основных положений, законов и методов естественных наук и математики.

• ПК-2 – Способностью выявлять естественнонаучную сущность проблем, возникающих в ходе профессиональной деятельности, привлекать для их решения соответствующий физико-математический аппарат.

• ПК-5 – Способностью владеть основными приемами обработки и представления экспериментальных данных.

  1. Требования к результатам освоения дисциплины:

Процесс изучения дисциплины направлен на формирование следующих компетенций:

• ПК-6 – Способность собирать, обрабатывать, анализировать и систематизировать научно-техническую информацию по тематике исследования, использовать достижения отечественной и зарубежной науки, техники и технологии.

• ПК-19 – Способность строить простейшие физические и математические модели

ионно-плазменных технологических процессов, а также использовать стандартные программные средства их компьютерного моделирования.

• ПК-20 – Способность аргументировано выбирать эффективную методику экспериментального исследования ионно-плазменных технологических процессов.

В результате изучения дисциплины студент должен:

Знать: физическую сущность явлений, лежащих в основе различных процессов ионно- плазменной технологии, преимущества таких процессов по сравнению с другими технологическими процессами микро- и наноэлектроники.

Уметь: выбирать режимы основных процессов ионно-плазменной технологии, обеспечивающих требуемые изменения свойств полупроводниковых материалов и возможность создания различных приборных структур.

Владеть: методами расчета, в т.ч. с использованием программных средств, режимов ионно-плазменных технологических процессов

4. Объем дисциплины и виды учебной работы

Вид учебной работы

Количество

часов

Общая трудоемкость дисциплины

72

Аудиторные занятия

36

Лекции

36

Самостоятельная работа

36

Вид итогового контроля:

зачет

  1. Содержание дисциплины

5.1. Содержание разделов дисциплины

п/п

Наименование раздела дисциплины

Содержание раздела

1.

Введение

Предмет дисциплины и ее задачи. Особенности использования ионных пучков и низкотемпературной плазмы для обработки материалов.

2.

Виды взаимодействий ускоренных ионов и низкотемпературной

плазмы с твердым телом

Общая характеристика процессов, протекающих

при облучении твердых тел ускоренными ионами

и взаимодействии плазмы с поверхностью.

Значимость данных процессов применительно

к технологическим проблемам.

3.

Торможение и рассеяние ускоренных

ионов в твердых телах

Ядерное и электронное торможение. Пробеги

ионов. Профили распределения ионов по глубине мишени. Пробеги ионов в многокомпонентных и многослойных мишенях. Пробеги ионов в монокристаллах. Эффект каналирования.

4.

Структурные превращения в твердых телах под действием ионной бомбардировки

Генерация дефектов и их пространственное

распределение. Типы ионно-радиационных

дефектов. Образование каскада смещенных

атомов. Разупорядоченные области.Аморфизация.

5.

Ионное распыление твердых тел

Механизм ионного распыления. Коэффициент и

скорость распыления. Зависимость коэффициента

распыления от характеристик бомбардирующих

ионов. Характеристика распыленных частиц.

Ионное распыление многокомпонентных материалов. Особенности распыления монокристаллов.

6.

Ионно-плазменная и

ионно-лучевая обработка материалов

Систематизация процессов ионно-плазменной

обработки. Основные параметры плазмы. Очистка поверхности материалов. Полирование и

создание шероховатости поверхности. Ионное

травление структур.

7.

Плазмохимическая и

ионно-химическая обработка материалов

Формирование химически активной плазмы.

Механизм взаимодействия химически активных

частиц плазмы с материалами. Селективность

процессов ПХТ и ИХТ. Анизотропность

процессов ПХТ и ИХТ.

8.

Методы контроля процессов

ионно-плазменной и плазмохимической

обработки материалов

Масс-спектрометрия. Оптические методы.

Электрофизические методы.

9.

Изменение состава и свойств

полупроводников и полимеров при имплантации ионов

Изменение химических свойств. Ионный синтез.

Ионно-стимулированные процессы.

Изменение оптических свойств. Изменение электрофизических свойств .Ионное легирование.

Имплантация ионов в полимеры.

Ионная литография.

10.

Отжиг ионно- имплантированных

слоев полупроводников

Равновесный отжиг. Кинетика отжига дефектов.

Электрическая активация имплантированной

примеси. Твердофазная кристаллизация

аморфизированных слоев. Формирование

дислокационной структуры при равновесном

отжиге. Диффузия имплантированной примеси.

Импульсный отжиг. Механизм импульсного

отжига. Поведение имплантированной примеси

при импульсном отжиге. Быстрый термический

отжиг.

11.

Высокодозная ионная имплантация

Эффекты в полупроводниках при внедрении

больших доз ионов. Самоотжиговые режимы

имплантации.

12.

Установки для ионной имплантации

Блок-схемы установок. Ионные источники.

Системы формирования ионного пучка.

Сепараторы ионов по массам. Системы

сканирования. Приемные камеры.

13.

Высокоэнергетическая ионная

имплантация

Критерий ВЭИИ. Особенности полупроводниковых структур,

образованных ВЭИИ. Трековые мембраны.

14.

Методы исследования

ионно-имплантированных

слоев полупроводников

Спектроскопия резерфордовского рассеяния.

Метод ядерных реакций. Масс-спектрометрия

вторичных ионов. Оптическая спектроскопия.

15.

Заключение

Перспективы и основные направления развития

ионно-плазменной технологии в микро- и

наноэлектронике.

5.2. Разделы дисциплины и виды занятий

п/п

Наименование раздела дисциплины

Лекции

Самостоятельная.

работа

1.

Введение

1

-

2.

Виды взаимодействий ускоренных

ионов и низкотемпературной

плазмы с твердым телом

1

2

3.

Торможение и рассеяние

ускоренных ионов в твердых телах

4

4

4.

Структурные превращения в

твердых телах под действием

ионной бомбардировки

3

3

5.

Ионное распыление твердых тел

4

4

6.

Ионно-плазменная и ионно-лучевая

обработка материалов

2

2

7.

Плазмохимическая и ионно-химическая

обработка материалов

4

4

8.

Методы контроля процессов

ионно-плазменной и плазмохимической

обработки материалов

2

2

9.

Изменение состава и свойств

полупроводников и полимеров

при имплантации ионов

2

2

10.

Отжиг ионно-имплантированных

слоев полупроводников

3

3

11.

Высокодозная ионная имплантация

2

2

12.

Установки для ионной имплантации

2

2

13.

Высокоэнергетическая ионная

имплантация

2

2

14.

Методы исследования

ионно-имплантированных слоев

полупроводников

3

4

15.

Заключение

1

-

6. Лабораторный практикум – программой не предусмотрен

  1. Учебно-методическое обеспечение дисциплины

а) основная литература:

1. Грибков В.А., Григорьев Ф.И., Калин Б.А., Якушин В.Л. Перспективные радиационно-пучковые технологии обработки материалов. – М.: Изд. дом «Круглый год», 2001. – 528 с.

2. Григорьев Ф.И. Плазмохимическое и ионно-химическое травление в технологии микроэлектроники. – М.: МИЭМ, 2003. – 48 с.

3. Григорьев Ф.И. Ионно-плазменная обработка полимерных материалов в технологии микроэлектроники. – М.: МИЭМ, 2008. – 35 с.

4. Григорьев Ф.И., Строганкова Н.И. Методы исследования ионно-имплантированных слоев в полупроводниках. – М.: МИЭМ. 1996. – 68 с.

б) дополнительная литература:

1. Ивановский Г.Ф., Петров В.И. Ионно-плазменная обработка материалов. – М.: «Радио и связь», 1986. – 232 с.

2. Плазменная технология в производстве СБИС / Под ред. Н.Айнспрука,

Д.Брауна. – М.: Мир,1987. – 470 с.

в) учебно-методические материалы:

1. Ионная имплантация в полупроводники и структуры диэлектрик-

полупроводник: Методические указания к курсовой работе по курсу ФОИПТ.

Сост. Григорьев Ф.И. – М.: МИЭМ, 2006. – 16 с.

2. Конструирование заданных профилей распределения примеси в полупроводниках методом ионной имплантации: Методические указания к лабораторной работе по дисциплине ФОИПТ. Сост. Григорьев Ф.И., Чернов А.А. –М.: МИЭМ, 2009. – 24 с.

8.Материально-техническое обеспечение дисциплины

Компьютерный класс кафедры ФОЭТ.

Рабочая программа составлена в соответствии с Государственным образовательным стандартом высшего профессионального образования по направлению 210100.62 «Электроника и наноэлектроника».

Автор программы ________Григорьев Ф.И.



Похожие документы:

  1. Программа дисциплины «физические основы ионно-плазменной технологии» для направления 210100. 62 «Электроника и наноэлектроника» подготовки бакалавра Автор программы: Ф. И. Григорьев, проф каф. ЭиН (2)

    Программа дисциплины
    ... » Факультет Электроники и телекоммуникаций Программа дисциплины «ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ИОННО-ПЛАЗМЕННОЙ ТЕХНОЛОГИИ» для направления 210100.62 «Электроника и наноэлектроника» подготовки бакалавра Автор программы: Ф.И.Григорьев, проф. каф.ЭиН, fgrigoryev ...

Другие похожие документы..