Поиск

Полнотекстовый поиск:
Где искать:
везде
только в названии
только в тексте
Выводить:
описание
слова в тексте
только заголовок

Рекомендуем ознакомиться

'Документ'
Общие принципы демографического анализа. Краткая характеристика основных методов демографического анализа (статистических, математических, социологиче...полностью>>
'Документ'
Воркуты 5 Филизнова Виктория Юрьевна «Волшебный пластилин» Воспитатель Высшее МБДОУ № 81 «Веселые голоса» Г....полностью>>
'Документ'
По дисциплине «Технологии адаптивного физического воспитания лиц с соматическими заболеваниями» для студентов третьего курса, обучающихся по специальн...полностью>>
'Документ'
о.Стрежевой 5 сертификат Трезвение как духовная добродетель Михеева Лариса Александровна МБОУ СОШ №19 ЗАТО Северск сертификат Трезвение как духовная д...полностью>>

Главная > Программа дисциплины

Сохрани ссылку в одной из сетей:
Информация о документе
Дата добавления:
Размер:
Доступные форматы для скачивания:

1

Смотреть полностью

Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»

Программа дисциплины Технологические процессы микроэлектроники

для направления 211000.62 «Конструирование и технология электронных средств» подготовки бакалавра

Правительство Российской Федерации

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования
"Национальный исследовательский университет
"Высшая школа экономики"

Московский институт электроники и математики Национального исследовательского университета «Высшая школа экономики»

Факультет «Электроники и телекоммуникаций»

Программа дисциплины

«Технологические процессы микроэлектроники»



для направления 211000.62 «Конструирование и технология электронных средств» подготовки бакалавра

Автор программы:

Николаев Дмитрий Пименович, к.т.н., доцент, dnikolaev@

Одобрена на заседании кафедры РЭТ «___»____________ 20 г

Зав. кафедрой С.У. Увайсов

Рекомендована профессиональной коллегией

УМС по электронике «___»____________ 20 г

Председатель С.У. Увайсов

Утверждена Учёным советом МИЭМ «___»_____________20 г.

Ученый секретарь В.П. Симонов ________________________ [подпись]

Москва, 2013

Настоящая программа не может быть использована другими подразделениями университета и другими вузами без разрешения кафедры-разработчика программы.

1. Область применения и нормативные ссылки

Настоящая программа учебной дисциплины устанавливает минимальные требования к знаниям и умениям студента и определяет содержание и виды учебных занятий и отчетности.

Программа предназначена для преподавателей, ведущих данную дисциплину, учебных ассистентов-аспирантов и студентов направления подготовки специальности «Проектирование и технология радиоэлектронных средств», обучающихся по программе бакалавриата для изучающих дисциплину «Технологические процессы микроэлектроники».

Программа разработана в соответствии с:

  • Государственным образовательным стандартом

  • Образовательной программой для направления «Проектирование и технология радиоэлектронных средств».

  • Рабочим учебным планом университета по направлению подготовки 210200.62 Проектирование и технология ЭС .

2. Цели освоения дисциплины

Сформировать навыки методологически грамотного осмысления конкретно-научных проблем с видением их в мировоззренческом контексте истории науки; способствовать формированию научного мировоззрения; подготовить к восприятию новых научных фактов и гипотез; дать студентам основы знаний методологии и еѐ уровней; способствовать усвоению слушателями знания истории науки как неотъемлемой части истории человечества; сформировать умение ориентироваться в методологических подходах и видеть их в контексте существующей научной парадигмы.

Компетенции обучающегося, формируемые в результате освоения дисциплины

В результате освоения дисциплины студент должен:

  • знать место и роль технологии в развитии радиоэлектроники, микроэлектроники и на современном этапе внедрять в производство передовые технологии;

  • основы передачи информации в радиоэлектронных системах;

  • основные тенденции развития отрасли технологии и микроэлектроники;

  • тенденции и перспективы развития электроники, микроэлектроники и наноэлектроники, а также смежных областей науки и техники, передовой отечественный и зарубежный научный опыт в профессиональной сфере деятельности;

  • уметь планировать и осуществлять свою деятельность с учетом анализа социальной информации;

  • выполнять компьютерное моделирование технологических процессов, сигналов и цепей и проводить анализ их параметров;

  • предлагать новые области научных исследований и разработок, новые методологические подходы к решению задач в профессиональной сфере деятельности;

  • использовать современные информационные и компьютерные технологии, средства коммуникаций, способствующие повышению эффективности научной и образовательной сфер деятельности; прогнозировать и анализировать социально-экономические, гуманитарные и экологические последствия научных открытий и новых технических решений;

  • иметь навыки (приобрести опыт) письменного аргументированного изложения собственной точки зрения;

  • обладать навыками работы с конструкторско-технологической документацией;

  • методами компьютерного моделирования физических и технологических процессов при передаче информации;

  • знаниями о перспективах развития конструирования и технологии радиоэлектронных средств.

В результате освоения дисциплины студент осваивает следующие общекультурные и профессиональные компетенции:

Компетенция

Код по ФГОС/ НИУ

Дескрипторы – основные признаки освоения (показатели достижения результата)

Формы и методы обучения, способствующие формированию и развитию компетенции

Способен понимать освоенные способы деятельности

ОК-1

способностью совершенствовать и развивать свой интеллектуальный и общекультурный уровень

Самостоятельная работа творческие эссе, написание реферата.

Способен анализиро-

вать, верифицировать,

оценивать полноту ин-

формации в ходе про-

фессиональной деятель-

ности

ОК-2

способностью к самостоятельному обучению новым методам исследования устройств электроники и физических принципов действия, к изменению научного и научно-производственного профиля своей профессиональной деятельности

Лекционные занятия, се-

минарские занятия, само-

стоятельная работа с ли-

тературой, написание эс-

се, практики работы с тек-

стами, практика анализа

индивидуальных случаев,

практика моделирования

консультативных и психо-

терапевтических решений

в проблемных жизненных

ситуациях

Способен описывать проблемы и ситуации профессиональной деятельности

ПК-1

способностью использовать результаты освоения теории и технологии радиоэлектроники

Практические занятия с компонентом самостоятельного моделирования

Способен использовать конкретные концепции, модели, методы, способы и инструменты работы для решения комплексных задач в научно-исследовательских организациях.

ПК-3

способностью понимать основные проблемы в предметной области технологии радиоэлектроники, выбирать методы и средства их решения

Лекционные занятия, семинарские занятия, практические занятия

Способен к осознанному выбору стратегий принятия научно-технических решений

ПК-4

способностью самостоятельно приобретать и использовать в практической деятельности новые знания и умения в новых областях знаний, непосредственно не связанных со сферой деятельности

Интерактивное обучение, приемы самоанализа персональной позиции в учебной группе

Способен участвовать в разрешении мировоззренческих, социальных и личностно значимых проблем

ПК-6

готовностью оформлять, представлять и докладывать результаты выполненной работы по исследованию технологии устройств изделий радиоэлектроники

Семинарские и практические занятия

Способен участвовать в работе в составе различных технологических комиссий и принять решения

ПК-11

способностью разрабатывать технологические задания на проектирование технологических процессов производства микроэлектронных средств

Работа в технологических советах и практических занятиях

Способен принимать самостоятельные решения

ПК-12

готовностью проектировать технологические процессы производства микроэлектронных средств с использованием автоматизированных систем технологической подготовки производства

4. Место дисциплины в структуре образовательной программы

Дисциплина относится к общепрофессиональному циклу с направленностью на формирование общей высокой профессиональной культуры разработчика-системотехника, схемотехника, конструктора, технолога (маркетолога) и организатора проектирования и производства (управленца). Дисциплина «Технологические процессы микроэлектроники» в области радиоэлектроники и микроэлектроники используется для выполнения КР и дипломных проектов, в дальнейшей трудовой, научно-исследовательской деятельности.

Настоящая дисциплина относится к циклу общепрофессиональных специальных дисциплин, обеспечивающих подготовку специалиста.

Изучение данной дисциплины базируется на следующих дисциплинах:

  • философия, физические основы микроэлектроники, проектирование и технологические основы микроэлектроники, основы автоматики и системы автоматического управления, интегральные устройства радиоэлектроники, основы проектирования РЭС, организация и планирование производства,.

Для освоения учебной дисциплины, студенты должны владеть следующими знаниями и компетенциями:

  • знать теоретические и практические основы проектирования РЭС специального назначения;

  • уметь моделировать технологические процессы производства

  • иметь навыки применения методов проектирования и принятия решений

  • уметь применять теоретические знания непосредственно на практике

  • уметь работать с конструкторско-технологической документацией

  • уметь проводить методы сборки, регулировки и испытаний изделий радиоэлектроники

Основные положения дисциплины должны быть использованы в дальнейшем при изучении следующих дисциплин:

  • техническая термодинамика

  • математические методы в электродинамике

  • моделирование технических систем

  • основы проектирования интегральных микросхем

  • основы автоматики и системы автоматического управления

  • микро- и нанотехнологии

  • интегральные устройства радиоэлектроники



5. Тематический план учебной дисциплины

[ Таблица для дисциплин, закрепленных за одной кафедрой]

Название раздела

Распределение

часов

Формы текущего контроля

Всего часов

в том числе из них

распределение общего количества аудиторных часов

экзамен

зачет

контрольные

работы

эссе

реферат

коллоквиум

домашнее задание

аудиторные занятия

лекции

семинары

практика

самостоятельная работа

1 2

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

Технологические процессы микроэлектроники

1

-

1

-

-

-

1

162

54

18

-

36

108

54

6. Формы контроля знаний студентов

Тип контроля

Форма контроля

Модуль

Параметры

Текущий

Контроль активности на практических занятиях

Ответы на вопросы, решение задач, участия в дискуссиях

Промежуточный

Проверка контрольных работ, активность и компетентность при их защите, проверка домашних заданий и самостоятельных работ, активность, компетентность и самостоятельность при их защите

Ответы на вопросы, решение задач, участия в дискуссиях, защита курсовых и контрольных работ

Итоговый

Зачет, экзамен

Экзамен

6.1 Критерии оценки знаний, навыков


Критерии оценки работы на практических занятиях, защите контрольных и курсовых работ: знание материала, умение сообщать материал, умение доносить материал, умение дополнять ответы, умение задавать существенные вопросы и формулировать проблему, умение готовить и презентовать доклады, посещаемость.

Критерии оценки эссе: умение четко изложить существо проблемы и структурировано описать проблему, умение обсудить предложенные теории, концепции и модели, творческий подход к решению проблемы.

Критерии оценки ответа на экзамене: наличие зачета, наличие сданных вовремя контрольных работ, курсовых работ, эссе, знание материала (суть, основные теории, подходы, методы, критика), умение выделить существенное, умение логически и аргументировано излагать материал.

Оценки по всем формам текущего контроля выставляются по 10-ти балльной шкале.

Активность на практических занятиях оценивается по следующим критериям:

  • Ответы на вопросы, предлагаемые преподавателем

  • Владение навыками и приемами при работе с оборудованием, приспособлениями, измерительными контрольными инструментами

  • Решение технологических проблем и технологических задач

  • Участие в дискуссиях по предлагаемой проблематике.

Эссе-реферат оценивается по следующим критериям:

  • Постановка проблемы работы

  • Степень решения поставленных целей и задач

  • Аргументация, четкость и понятность выводов

  • Аккуратность в оформлении работы, стиль изложения

Курсовая работа (если предусмотрена планом):

  • Степень решения поставленных целей и задач

  • Компетентность при решении поставленных задач

  • Аргументация, четкость и понятность выводов

  • Аккуратность в оформлении работы, стиль изложения

  • Расчетно-графическое сопровождение материала

  • Технологические процессы разрабатываемой темы

  • Формализация задачи ее модели, поставленной перед обучающимся.

Критерии оценки эссе

Оценка

Критерии

«Отлично»: 10

Данная оценка может быть выставлена только при условии соответствия эссе всем предъявляемым требованиям и высшей оценки по всем критериям.

«Отлично»: 9, 8

Данные оценки могут быть выставлены только при условии соответствия эссе всем предъявляемым требованиям и высокой оценке по всем критериям.

«Хорошо»: 7, 6

«7» - данная оценка может быть выставлена только при условии полного эссе 3 предъявляемым критериям из 4 и 1 критерий (кроме творческого) может быть выполнен частично.

«6» - данная оценка может быть выставлена только при условии полного соответствия эссе 3 предъявляемым критериям из 4.

«Удовлетворительно»: 5, 4

«5» - данная оценка может быть выставлена только при условии полного соответствия эссе 2 предъявляемым критериям из 4и 2 критерия (кроме творческого) могут быть выполнены частично.

«4» - данная оценка может быть выставлена только при условии полного соответствия эссе 2 предъявляемым критериям из 4и 2 критерия (кроме творческого) могут быть выполнены частично.

«Неудовлетворительно»: 3, 2, 1

Работа не соответствует большинству предъявляемых критериев

«Работа не принимается»: 0

Работа является плагиатом. Авторский вклад менее 80% (см. Регламент использования системы «Антиплагиат» для сбора и проверки письменных учебных работ в Государственном университете – Высшей школе экономики (утвержден ученым советом Государственного университета – Высшей школы экономики (протокол от 20.03.2009 г. № 56)).

В случае, если эссе не было сдано в установленный срок, за него снижается оценка по следующей схеме:

1 день – снижение оценки на 1 балл;

2 дня – снижение оценки на 2 балла;

3 дня – снижение оценки на 3 балла;

4 дня – снижение оценки на 4 балла;

5 дней – снижение оценки на 5 баллов;

6 дней – снижение оценки на 6 баллов;

7 дней – снижение оценки на 7 баллов.

Критерии оценки ответа на экзамене

(наличие зачета, наличие сданного вовремя эссе, наличие сданной курсовой работы, наличие выполненных контрольных работ и домашних заданий, знание материала (суть, основные теории, подходы, методы, критика), умение выделить существенное, умение логически и аргументировано излагать материал)

Оценка

Критерии

«Отлично»: 10

Данная оценка может быть выставлена только при условии соответствия ответа всем предъявляемым требованиям и высшей оценки по всем критериям.

«Отлично»: 9, 8

Данные оценки могут быть выставлены только при условии соответствия ответа всем предъявляемым требованиям и высокой оценке по всем критериям.

«Хорошо»: 7, 6

«7» - данная оценка может быть выставлена только при условии полного соответствия ответа 4 из 5 предъявляемым критериям и 1 (кроме зачета и эссе) критерий может быть выполнен частично.

«6» - данная оценка может быть выставлена только при условии полного соответствия ответа 3 (кроме зачета и эссе) предъявляемым критериям.

«Удовлетворительно»: 5, 4

«5» - данная оценка может быть выставлена только при условии полного соответствия зачетной работы 2 (кроме зачета и эссе) предъявляемым критериям и 2 критерия могут быть выполнены частично.

«4» - данная оценка может быть выставлена только при условии полного соответствия зачетной работы 2 предъявляемым критериям.

«Неудовлетворительно»: 3, 2, 1

Ответ не соответствует большинству предъявляемых критериев

«Ответ не принимается»: 0

Экзамен не сдан.

Оценки по всем формам текущего контроля выставляются по 10-ти балльной шкале.

6.2 Порядок формирования оценок по дисциплине


Преподаватель оценивает работу студента на семинарских, практических занятиях, уровень посещаемости лекционных, практических и семинарских занятий, эссе, уровень защиты курсовой работы ответ студента на итоговом экзамене.

Критерии оценки работы на практических занятиях: знание материала, умение сообщать материал, умение дополнять ответы, умение задавать существенные вопросы и формулировать проблему, умение готовить и презентовать доклады, посещаемость. Оценки за работу на семинарских и практических занятиях преподаватель выставляет в рабочую ведомость. Накопленная оценка по 10-ти балльной шкале за работу на семинарских и практических занятиях определяется перед промежуточным или итоговым контролем.

Критерии оценки самостоятельной работы: умение найти в отечественной и зарубежной литературе и выделить наиболее важные работы по теме, наиболее полные и современные работы по теме; умение структурировать изложение темы, уровень владения понятиями. Оценки за самостоятельную работу студента преподаватель выставляет в рабочую ведомость. Накопленная оценка по 10-ти балльной шкале за самостоятельную работу определяется перед промежуточным или итоговым контролем – Осам. работа.р.

Критерии оценки эссе: умение четко изложить существо проблемы и структурировано описать проблему, умение обсудить предложенные теории, концепции и модели, творческий подход к решению проблемы. Оценки за самостоятельную работу студента преподаватель выставляет в рабочую ведомость. Накопленная оценка по 10-ти балльной шкале за самостоятельную работу определяется перед промежуточным или итоговым контролем.

Критерии оценки ответа на зачете: наличие сданного вовремя реферата (курсовой работы), знание пройденного материала, умение выделить существенное, умение четко излагать существо проблемы, поставленной задачи курсовой работы, структурировано описать тему, умения обсудить и проанализировать предложенные теории, концепции и модели, творческий подход к решению проблемы, умение логически и аргументировано излагать материал. Оценка за курсовой проект выставляется преподавателем в ведомость.

Критерии оценки ответа на экзамене: наличие вовремя сданных контрольных, домашних работ, наличие промежуточного зачета, знание материала (суть, основные теории, подходы, методы, критика), умение выделить существенное, умение логически и аргументировано излагать материал.

Накопленная оценка за текущий контроль учитывает результаты студента по текущему контролю следующим образом:

Отекущий = 0,35·Окурс.р.+ 0,15·Олекц. + 0,35·Одз .+ 0,10·Од.з.. + 0,35·Оконтр. р ;

Способ округления накопленной оценки текущего контроля – арифметический.

Результирующая оценка за промежуточный (итоговый) контроль в форме зачета выставляется по следующей формуле, где Озачет – оценка за работу непосредственно на зачете:

Опромежуточн. = 0,4·Озачет + 0,6·Отекущий

Способ округления накопленной оценки промежуточного (итогового) контроля в форме зачета- арифметический.

Результирующая оценка за итоговый контроль в форме экзамена выставляется по следующей формуле, где Оэкзамен – оценка за работу непосредственно на экзамене:

Оитог. = 0,4·Оэкзамен + 0,3·Опромежуточн. + 0,2·Отекущ. + 0,1·Оаудиторн.

Способ округления накопленной оценки промежуточного (итогового) контроля в форме экзамена - арифметический.

На пересдаче студенту предоставляется возможность получить дополнительный балл для компенсации оценки за текущий контроль, если существуют уважительные причины пропуска соответствующий занятий (больничный, больничный на ребенка, форс-мажорные обстоятельства), студент демонстрирует, что хорошо владеет материалом, умеет рефлексивно работать, логически мыслить, обсуждать проблемы.

На зачете студент может получить дополнительный вопрос (дополнительную практическую задачу, решить к пересдаче домашнее задание), ответ на который оценивается в 1 балл. Таким образом, результирующая оценка за промежуточный (итоговый) контроль в форме зачета, получаемая на пересдаче, выставляется по формуле

Опромежуточн. = 0,4·Озачет + 0,5·Отекущий + 0,1 Одоп.вопрос

На экзамене студент может получить дополнительный вопрос (дополнительную практическую задачу, решить к пересдаче домашнее задание), ответ на который оценивается в 1 балл. Таким образом, результирующая оценка за промежуточный (итоговый) контроль в форме экзамена, получаемая на пересдаче, выставляется по формуле

Оитог. = 0,4·Оэкзамен + 0,25·Опромежуточн. + 0,15·Отекущ. + 0,1·Оаудиторн+ 0,1 Одоп.вопрос

В диплом ставится оценка за итоговый контроль, которая является результирующей оценкой по учебной дисциплине.

ВНИМАНИЕ: оценка за итоговый контроль блокирующая, при неудовлетворительной итоговой оценке она равна результирующей.

Таким образом: итоговая оценка формируется как взвешенная сумма оценки, накопленной в течение курса, и оценки за письменную зачетную работу.

Накопленная оценка [НО] (максимум 10 баллов) включает оценку за работу на семинарах [Осем] и подготовку эссе [Осем] и формируется по следующему правилу:

НО = 0.50 Осем +0.50 Осем

Итоговый зачет [ИЗ] (максимум 10 баллов): письменная, курсовая работы

Итоговый оценка [ИО] (максимум 10 баллов) по курсу определяется с учетом накопленной оценки (с весом 0.4) и оценки за письменный зачет в конце курса (с весом 0.6) по следующей формуле:

ИО = 0.4 НО +0.6 ИЗ

Письменный зачет является обязательным, независимо от накопленной за учебный год оценки. Студент, не явившийся на зачет без уважительной причины, или написавший зачетную работу на неудовлетворительную оценку (от 1 до 3 баллов), получает неудовлетворительную оценку за весь курс.

Пересдача по курсу [П] (первая, вторая) представляет собой письменную работу, за которую выставляется оценка (максиму 10 баллов).

Итоговый оценка после пересдачи [ИОП] (первой второй) определяется с учетом накопленной оценки ( с весом 0.4) и оценки за пересдачу ( с весом 0.6) по следующей формуле:

ИОП = 0.4 НО +0.6 П

Все округления проводятся в соответствии с общими математическими правилами

Оценки за курс определяются по пятибалльной и десятибалльной шкалам.

Количество набранных баллов

Оценка по десятибалльной шкале

Оценка по пятибалльной шкале

9.5-10

10

Отлично

8.5-9.4

9

Отлично

7.5-8.4

8

Отлично

6.5-7.4

7

Хорошо

5.5-6.4

6

Хорошо

4.5-5.4

5

Удовлетворительно

3.5-4.4

4

Удовлетворительно

2.5-3.4

3

Удовлетворительно

1.5-2.4

2

Удовлетворительно

0.5-1.4

1

Удовлетворительно

7. Содержание дисциплины

Раздел 1. Конструктивно-технологические особенности и элементы конструкций интегральных микросхем.

Лекции – 9 часов

Практические занятия – 6 часов

Контрольные работы –

Домашние задания –

Самостоятельные работы – 36 часов

1.1 Предмет, цель и содержание курса – 1 час [1]; [2]; [3];

1.2 Этапы развития электроники – 1 час;

1.3 Полупроводниковые ИМС– 2 часа [1]; [2]; [3];

1.4 Микросбокри – 1 час.

Раздел 2. Технологические основы полупроводниковой микроэлектроники.

Лекции – 9 часов

Практическое занятия – 6 часов

Контрольные работы –

Домашние задания –

Самостоятельная работа – 36 часов

2.1 Назначение и классификация подложек ИМС. Подложки полупроводниковых, пленочных и гибридных ИМС – 2 часа [1]; [3]; [4]; [5]; [10];

2.2 Технология получения слоев оксида и нитрида кремния, литография, легирование полупроводников диффузией – 2 часа[1]; [3]; [4]; [5]; [10]; [11];

2.3 Технологические процессы нанесения тонких пленок. Технология нанесения толстых пленок. Получение различных конфигураций тонкопленочных структур. Металлизация полупроводниковых структур – 2 часа.

Раздел 3. Технология изготовления полупроводниковых ИМС и БИС. Технология изготовления гибридных ИМС, БИС и МСБ. Технологический процесс методов и этапов сборки. Монтаж кристаллов и плат. Способы защиты ИМС.

Лекции – 9 часов

Практические занятия – 6 часов

Контрольные работы –

Домашние задания -

Самостоятельная работа – 36 часов

3.1 Технология изготовления биполярных ИМС с диэлектрической изоляцией. Технология изготовления совмещенных ИМС – 2 часа; [1]; [3]; [4]; [8]; [10];

3.2 Изготовление тонкопленочных гибридных ИМС. Изготовление толстопленочных гибридных ИМС. Изготовление гибридных БИС и МСБ – 2 часа; [1]; [3]; [4]; [8]; [10];

3.3 Методы и этапы сборки. Технология монтажа кристаллов и плат. Способы защиты ИМС. Сборка и защита полупроводниковых ИМС и БИС – 2 часа; [1]; [3]; [4]; [8]; [9]; [10].

8. Образовательные технологии

При реализации различных видов учебной деятельности по данной дисциплине используются следующие образовательные технологии: лекции, тренинги, решение практических задач, упражнений, дискуссии при защите курсовых работ и диалоги со слушателями. Благодаря этим мероприятиям, специалисты получают возможность осваивать активные и интерактивные формы проведения занятий – деловые и ролевые игры, разбор практических задач, психологические и другие тренинги.

9. Оценочные средства для текущего контроля и аттестации студента

9.1. Темы лабораторных работ

1 – Термическое вакуумное напыление.

2 – Резистивное, индукционное, электронно-лучевое и лазерное напыление.

3 – Электродуговое напыление, распыление ионной бомбардировкой, катодное распыление.

4 – Магнетронное, высокочастотное и плазмоионное распыление в несамостоятельном газовом разряде .

5 – Технология эпитаксиального роста тонких пленок.

6 – Эпитаксия. Молекулярно-лучевая эпитаксия.

7 – Подложки полупроводниковых, пленочных и гибридных ИМС.

8 – Типовые технологические процессы очистки пластин и подложек.

9 – Методы создания вакуума.

10 – Интегральные транзисторные структуры.

9.2. Темы практических работ

ПР-1 – Процессы литографии и фотолитографии.

ПР-2 – Процессы обработки поверхности. Окисление и травление кремния. Металлизация поверхности.

ПР-3 – Типовые технологические маршруты производства ИС.

ПР-4 – Молекулярно-лучевая эпитаксия.

ПР-5 – Технология нанесения толстых пленов.

ПР-6 – Технология изготовления совмещенных ИМС.

ПР-7 – Технологические процессы изготовления ИМС и БИС.

ПР-8 – Сборка и защита гибридных ИМС и МСБ.

9.3. Тематика курсовых работ (проектов).

  1. Технологический процесс бессвинцовой пайки.

  2. Интегральные транзисторные структуры (виды транзисторов).

  3. Конструкции и технологии изготовления резисторов.

  4. Технология создания полупроводниковых приборов.

  5. Технология металлизации полупроводниковых структур и получение конфигураций тонкопленочных структур.

  6. Технология изготовления полупроводниковых БИС и гибридных БИС.

  7. Технология изготовления микросборок корпусов.

  8. Технология обработки пластин и подложек.

  9. Типовые процессы очистки пластин и подложек.

  10. Технология получения слоев оксида и нитрида кремния.

  11. Технологический процесс литографии – виды литографии.

  12. Легирование полупроводников диффузией.

  13. Технология ионного легирования полупроводников.

  14. Технология нанесения тонких пленок в вакууме.

  15. Технологический процесс изготовления биполярных ИМС с диэлектрической изоляцией.

  16. Технология изготовления совмещенных ИМС.

  17. Виды контроля полупроводниковых ИМС.

  18. Технология измерения статических и динамических параметров ИМС.

  19. Методы неразрушающего контроля качества ИМС.

  20. Технология монтажа кристаллов и плат.

  21. Технологические способы защиты ИМС.

  22. Основные параметры интегральных схем.

  23. Основные технологические операции изготовления толстопленочных ГИС.

  24. Разработка топологии микросхем.

  25. Технология сборки микросхем.

  26. Особенности конструкции и технологии производства полупроводниковых ИМС.

  27. Технология изготовления МДП и КМДП ИМС.

  28. Способы сухой очистки пластин и подложек.

  29. Технология изготовления толстопленочных гибридных ИМС.

  30. Технологические процессы изготовления БИС и СБИС.

  31. Технология методов и способов герметизации ИМС.

  32. Технология микроконтактирования термокомпрессионной сваркой.

9.3 Вопросы для оценки качества освоения дисциплины.

Примерный перечень вопросов к экзамену по всему курсу для сомапроверки знаний студентов.

  1. Предмет, цель и содержание курса.

  2. Этапы развития микроэлектроники.

  3. Полупроводниковые ИМС.

  4. Микросборки.

  5. Назначение и классификация подложек ИМС.

  6. Методы изготовления ИМС.

  7. Основные положения и принципы микроэлектроники.

  8. Классификация изделий микроэлектроники.

  9. Подложки полупроводниковых, пленочных и гибридных ИМС.

  10. Технология получения слоев оксида и нитрида кремния.

  11. Литография. Легирование полупроводников диффузией.

  12. Технологический процесс нанесения полупроводниковых пленок.

  13. Технология нанесения толстых пленок.

  14. Получение различных конфигураций тонкопленочных структур.

  15. Металлизация полупроводниковых структур.

  16. Технология изготовления полупроводниковых ИМС и БИС.

  17. Технология изготовления гибридных ИМС, БИС и МСБ.

  18. Технологический процесс методов и этапов сборки.

  19. Монтаж кристаллов и плат.

  20. Способы защиты ИМС.

  21. Технология изготовления биполярных ИМС и диэлектрической изоляцией.

  22. Технология изготовления совмещенных ИМС.

  23. Технология изготовления толстопленочных гибридных ИМС.

  24. Технология изготовления тонкопленочных гибридных ИМС.

  25. Технология изготовления гибридных БИС и МСБ.

  26. Методы и этапы сборки.

  27. Технология монтажа кристаллов и плат.

  28. Способы защиты полупроводниковых ИМС и БИС.

  29. Термическое вакуумное напыление.

  30. Резистивное напыление.

  31. Индукционное напыление.

  32. Электронно-лучевое напыление.

  33. Лазерное напыление.

  34. Электродуговое напыление.

  35. Распыление ионной бомбардировкой.

  36. Катодное распыление.

  37. Магнетронное распыление.

  38. Высокочастотное распыление.

  39. Плазмоионное распыление в несамостоятельном газовом разряде.

  40. Назначение и классификация подложек ИМС.

  41. Подложки полупроводниковых ИМС.

  42. Подложки пленочных и гибридных ИМС.

  43. Способы очистки пластин и подложек.

  44. Получение слоев оксида и нитрида кремния.

  45. Литография – виды литографии.

  46. Ионное легирование полупроводников.

  47. Эпитаксиальное наращивание полупроводниковых слоев.

  48. Нанесение тонких пленок в вакууме.

  49. Нанесение толстых пленок.

  50. Металлизация полупроводниковых структур.

  51. Изготовление биполярных ИМС.

  52. Изготовление биполярных ИМС с комбинированной изоляцией.

  53. Изготовление тонкопленочных гибридных ИМС.

  54. Изготовление толстопленочных гибридных ИМС.

  55. Изготовление совмещенных ИМС.

  56. Методы и этапы сборки.

  57. Контроль полупроводниковых ИМС.

  58. Контроль гибридных ИМС.

  59. Контроль БИС.

  60. Основные виды причин и отказов ИМС.

9.4. Тематика вопросов для самостоятельной работы студентов.

  1. Лазерная обработка пластин и подложек ИМС.

  2. Плазменная обработка.

  3. Электронно-лучевая обработка.

  4. Ультразвуковая очистка.

  5. Классификация ИМС и система условных обозначений.

  6. Полупроводниковые ИМС.

  7. Пленочные и гибридные ИМС.

  8. Большие интегральные микросхемы.

  9. Микросборки.

  10. Компоненты гибридных ИМС.

  11. Корпуса для интегральных микросхем.

  12. Сравнение различных типов ИМС.

  13. Этапы развития электроники.

  14. Туннельный эффект.

  15. Полупроводниковые материалы в твердотельной электронике.

  16. Роль полупроводниковых структур в микро- и наноэлектронике.

  17. Виды транзисторов – назначение, технология получения.

  18. Получение эпитаксиальных структур.

  19. Молекулярно-лучевая эпитаксия.

  20. Фотолитография.

  21. Электронно-лучевая литография.

  22. Физика и техника вакуума.

  23. методы создания вакуума.

  24. Методы измерения вакуума.

  25. Методы течеискания.

  26. Назначение и классификация подложек ИМС.

  27. Подложки полупроводниковых ИМС.

  28. Подложки пленочных и гибридных ИМС.

  29. Виды загрязнений поверхности подложек и методы их удаления.

  30. Способы жидкостной обработки пластин и подложек.

  31. Способы сухой очистки пластин и подложек.

  32. Типовые технологические процессы очистки пластин и подложек.

  33. Технология получения слоев оксида и нитрида кремния.

  34. Литография.

  35. Легирование полупроводников диффузией.

  36. Ионное легирование полупроводников.

  37. Эпитаксиальное наращивание полупроводниковых слоев.

  38. Нанесение тонких пленок в вакууме.

  39. Химическое и электрохимическое нанесение пленок.

  40. Нанесение толстых пленок.

  41. Металлизация полупроводниковых структур.

  42. Особенности, этапы и классификация процессов изготовления полупроводниковых ИМС.

  43. Технологические процессы изготовления полупроводниковых биполярных ИМС с изоляцией p-n перехода.

  44. Изготовление биполярных ИМС с диэлектрической изоляцией.

  45. Изготовление биполярных ИМС с комбинированной изоляцией.

  46. Классификация испытаний ИМС.

  47. Проведение испытаний на надежность и оценка из результатов.

  48. Основные виды и причины отказов ИМС.

  49. Автоматизация испытаний.

  50. Назначение и виды контроля.

  51. Контроль БИС.

  52. Контроль гибридных ИМС.

  53. Методы неразрушающего контроля качества ИМС.

  54. Изготовление совмещенных ИМС.

  55. Особенности технологии и методы создания БИС и СБИС.

  56. Изготовление МДП и КМДП ИМС.

  57. Разделение пластин и подложек.

  58. Сборка и защита полупроводниковых ИМС и БИС.

  59. Сборка и защита гибридных ИМС и БИС.

  60. Изготовление тонкопленочных гибридных ИМС.

  61. Изготовление толстопленочных гибридных ИМС.

  62. Стабилизация и подгонка параметров элементов гибридных ИМС.

Необходимая литература для самостоятельной работы: [1]; [3]; [4]; [5]; [7]; [8]; [9]; [12]; [13]; [15]; [16]; [18]/

10. Учебно-методическое и информационное обеспечение дисциплины

Базовые учебники

1. Степаненко И.П. «Основы микроэлектроники» М. Лаборатория базовых знаний. 2001 – 488с.

2. Чернозубов Ю.С. «Технология производства микроэлектронных изделий» М. МИЭМ 2010 – 350с.

Основная литература

3. Щука А.А. Электроника. БХВ-Петербург 2005.

4. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. «Микроэлектроника» М. Вш. 1986.

5. Лемешко Н.В. «Основы проектирование интегральных микросхем» М. МИЭМ 2010 – 270с.

6. Мишин Г.Т. «Проектирование интегральных микросхем» РТУиС, МИЭМ

7. Николаев Д.П. «Курс лекций «Технологические процессы микроэлектроники» РТУиС, МИЭМ 2013

8. Коледов Л.А. «Технология и конструирование микросхем, микропроцессоров и микросборок» СПб изд. Лань 2009 – 400с.

9. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. «Полупроводниковые приборы» Изд. Лань 2009 – 480с.

10. Базовые лекции по электронике (1-2 том) под редакцией Пролейко В.М. Изд. Техносфера М. 2009. Том 1 – 479с. Том 2 – 607с.

Дополнительная литература

11. Киреев В.Ю. «Технология микроэлектроники» М. Техносфера 2006 – 308с.

12. Королев М.А. «Технология конструкции и методы моделирование кремниевых интегральных микросхем» М. Бином лаборат. знаний 2007 – 423с.

13. Росадо Л. «Физическая электроника и микроэлектроника» М.В.ш. 1991 – 351с.

14. Гуськов Г.Я. Блинов Г.А. Газаров А.А. «Монтаж микроэлектронной аппаратуры» М. Радиосвязь 1986 – 175с.

15. Курносов А.И. Юдин В.В. «Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных схем» М.В.ш. 1986 – 386с.

17. Черняев В.Н. «Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров» М. Радиосвязь 1987 – 464с.

18. Парфенов О.Д. «Технология микросхем» М. В.ш. 1986 – 320с.

11. Материально-техническое обеспечение дисциплины

Для проведения практических занятий по дисциплине необходимы: аудитория, оснащенная видеопроектором, интерактивной доской, компьютером и аудиосистемой, а также кафедральная или межкафедральная лаборатория, оснащенная всем необходимым технологическим и контрольным оборудованием, в том числе сканирующие туннельные микроскопы (не менее двух), установка для ультразвуковой очистки, вакуумно-напылительные установки катодно-ионного плазменного напыления.

1

Смотреть полностью


Похожие документы:

  1. Программа дисциплины “Интегральные устройства радиоэлектроники” для направления 211000. 62 «Конструирование и технология электронных средств»

    Программа дисциплины
    ... и отчетности. Программа предназначена для преподавателей, ведущих данную дисциплину, учебных ассистентов и студентов направления подготовки для направления 211000.62 «Конструирование и технология электронных средств» подготовки ...
  2. Программа дисциплины «Материалы и компоненты электронных средств»  для направления 211000. 62 «Конструирование и технология электронных средств» подготовки бакалавра Авторы программы

    Программа дисциплины
    ... электроники и телекоммуникаций» Программа дисциплины «Материалы и компоненты электронных средств» для направления 211000.62 «Конструирование и технология электронных средств» подготовки бакалавра Авторы программы: от кафедры МТМиТ ...
  3. Санкт-Петербургская ассоциация предприятия радиоэлектроники, приборостроения, средств связи и инфотелекоммуникаций

    Документ
    ... .62 Электроэнергетика и электротехника 200100.62 Приборостроение 210100.62 Электроника и наноэлектроника 210400.62 Радиотехника 211000.62 Конструирование и технология электронных средств 220400.62 ...
  4. Новые поступления из эбс «айбукс»

    Документ
    ... ] : учебное пособие для студентов вузов, обучающихся по направлению 211000 "Конструирование и технологии электронных средств" / В. П. Большаков, А. Л. Бочков. - Электрон. текстовые дан ...
  5. Издания учебной и учебно-методической литературы в ниу итмо в 2013 году

    Документ
    ... А.Г. 090900, 211000 Моделирование на конструкторско-технологическом этапе производства электронных средств Учебное пособие 4 ... технологии Учебное пособие 4 150 150 май № п/п Кафедра Название Автор (ответственный) Направление подготовки Дисциплина ...

Другие похожие документы..