Поиск

Полнотекстовый поиск:
Где искать:
везде
только в названии
только в тексте
Выводить:
описание
слова в тексте
только заголовок

Рекомендуем ознакомиться

'Документ'
б) от антикризисного управления предприятием-банкротом следует ожидать не просто финансового оздоровления, а действительно преодоления кризиса как в т...полностью>>
'Образовательный стандарт'
развитие эмоционально-волевых качеств личности, необходимых для ведения здорового образа жизни, обеспечения безопасного поведения в опасных и чрезвыча...полностью>>
'Документ'
Объяснение устройства и принципа действия технических объектов, практическое применение физических знаний в повседневной жизни: для безопасного обраще...полностью>>
'Документ'
3) виды трудовой деятельности по квалификационным уровням в соответствии с Национальной и отраслевой рамками квалификаций, рекомендуемые наименования ...полностью>>

Главная > Программа дисциплины

Сохрани ссылку в одной из сетей:
Информация о документе
Дата добавления:
Размер:
Доступные форматы для скачивания:

Все округления проводятся в соответствии с общими математическими правилами

Оценки за курс определяются по пятибалльной и десятибалльной шкалам.

Количество набранных баллов

Оценка по десятибалльной шкале

Оценка по пятибалльной шкале

9.5-10

10

Отлично

8.5-9.4

9

Отлично

7.5-8.4

8

Отлично

6.5-7.4

7

Хорошо

5.5-6.4

6

Хорошо

4.5-5.4

5

Удовлетворительно

3.5-4.4

4

Удовлетворительно

2.5-3.4

3

Удовлетворительно

1.5-2.4

2

Удовлетворительно

0.5-1.4

1

Удовлетворительно

7. Содержание дисциплины

Раздел 1. Конструктивно-технологические особенности и элементы конструкций интегральных микросхем.

Лекции – 9 часов

Практические занятия – 6 часов

Контрольные работы –

Домашние задания –

Самостоятельные работы – 36 часов

1.1 Предмет, цель и содержание курса – 1 час [1]; [2]; [3];

1.2 Этапы развития электроники – 1 час;

1.3 Полупроводниковые ИМС– 2 часа [1]; [2]; [3];

1.4 Микросбокри – 1 час.

Раздел 2. Технологические основы полупроводниковой микроэлектроники.

Лекции – 9 часов

Практическое занятия – 6 часов

Контрольные работы –

Домашние задания –

Самостоятельная работа – 36 часов

2.1 Назначение и классификация подложек ИМС. Подложки полупроводниковых, пленочных и гибридных ИМС – 2 часа [1]; [3]; [4]; [5]; [10];

2.2 Технология получения слоев оксида и нитрида кремния, литография, легирование полупроводников диффузией – 2 часа[1]; [3]; [4]; [5]; [10]; [11];

2.3 Технологические процессы нанесения тонких пленок. Технология нанесения толстых пленок. Получение различных конфигураций тонкопленочных структур. Металлизация полупроводниковых структур – 2 часа.

Раздел 3. Технология изготовления полупроводниковых ИМС и БИС. Технология изготовления гибридных ИМС, БИС и МСБ. Технологический процесс методов и этапов сборки. Монтаж кристаллов и плат. Способы защиты ИМС.

Лекции – 9 часов

Практические занятия – 6 часов

Контрольные работы –

Домашние задания -

Самостоятельная работа – 36 часов

3.1 Технология изготовления биполярных ИМС с диэлектрической изоляцией. Технология изготовления совмещенных ИМС – 2 часа; [1]; [3]; [4]; [8]; [10];

3.2 Изготовление тонкопленочных гибридных ИМС. Изготовление толстопленочных гибридных ИМС. Изготовление гибридных БИС и МСБ – 2 часа; [1]; [3]; [4]; [8]; [10];

3.3 Методы и этапы сборки. Технология монтажа кристаллов и плат. Способы защиты ИМС. Сборка и защита полупроводниковых ИМС и БИС – 2 часа; [1]; [3]; [4]; [8]; [9]; [10].

8. Образовательные технологии

При реализации различных видов учебной деятельности по данной дисциплине используются следующие образовательные технологии: лекции, тренинги, решение практических задач, упражнений, дискуссии при защите курсовых работ и диалоги со слушателями. Благодаря этим мероприятиям, специалисты получают возможность осваивать активные и интерактивные формы проведения занятий – деловые и ролевые игры, разбор практических задач, психологические и другие тренинги.

9. Оценочные средства для текущего контроля и аттестации студента

9.1. Темы лабораторных работ

1 – Термическое вакуумное напыление.

2 – Резистивное, индукционное, электронно-лучевое и лазерное напыление.

3 – Электродуговое напыление, распыление ионной бомбардировкой, катодное распыление.

4 – Магнетронное, высокочастотное и плазмоионное распыление в несамостоятельном газовом разряде .

5 – Технология эпитаксиального роста тонких пленок.

6 – Эпитаксия. Молекулярно-лучевая эпитаксия.

7 – Подложки полупроводниковых, пленочных и гибридных ИМС.

8 – Типовые технологические процессы очистки пластин и подложек.

9 – Методы создания вакуума.

10 – Интегральные транзисторные структуры.

9.2. Темы практических работ

ПР-1 – Процессы литографии и фотолитографии.

ПР-2 – Процессы обработки поверхности. Окисление и травление кремния. Металлизация поверхности.

ПР-3 – Типовые технологические маршруты производства ИС.

ПР-4 – Молекулярно-лучевая эпитаксия.

ПР-5 – Технология нанесения толстых пленов.

ПР-6 – Технология изготовления совмещенных ИМС.

ПР-7 – Технологические процессы изготовления ИМС и БИС.

ПР-8 – Сборка и защита гибридных ИМС и МСБ.

9.3. Тематика курсовых работ (проектов).

  1. Технологический процесс бессвинцовой пайки.

  2. Интегральные транзисторные структуры (виды транзисторов).

  3. Конструкции и технологии изготовления резисторов.

  4. Технология создания полупроводниковых приборов.

  5. Технология металлизации полупроводниковых структур и получение конфигураций тонкопленочных структур.

  6. Технология изготовления полупроводниковых БИС и гибридных БИС.

  7. Технология изготовления микросборок корпусов.

  8. Технология обработки пластин и подложек.

  9. Типовые процессы очистки пластин и подложек.

  10. Технология получения слоев оксида и нитрида кремния.

  11. Технологический процесс литографии – виды литографии.

  12. Легирование полупроводников диффузией.

  13. Технология ионного легирования полупроводников.

  14. Технология нанесения тонких пленок в вакууме.

  15. Технологический процесс изготовления биполярных ИМС с диэлектрической изоляцией.

  16. Технология изготовления совмещенных ИМС.

  17. Виды контроля полупроводниковых ИМС.

  18. Технология измерения статических и динамических параметров ИМС.

  19. Методы неразрушающего контроля качества ИМС.

  20. Технология монтажа кристаллов и плат.

  21. Технологические способы защиты ИМС.

  22. Основные параметры интегральных схем.

  23. Основные технологические операции изготовления толстопленочных ГИС.

  24. Разработка топологии микросхем.

  25. Технология сборки микросхем.

  26. Особенности конструкции и технологии производства полупроводниковых ИМС.

  27. Технология изготовления МДП и КМДП ИМС.

  28. Способы сухой очистки пластин и подложек.

  29. Технология изготовления толстопленочных гибридных ИМС.

  30. Технологические процессы изготовления БИС и СБИС.

  31. Технология методов и способов герметизации ИМС.

  32. Технология микроконтактирования термокомпрессионной сваркой.

9.3 Вопросы для оценки качества освоения дисциплины.

Примерный перечень вопросов к экзамену по всему курсу для сомапроверки знаний студентов.

  1. Предмет, цель и содержание курса.

  2. Этапы развития микроэлектроники.

  3. Полупроводниковые ИМС.

  4. Микросборки.

  5. Назначение и классификация подложек ИМС.

  6. Методы изготовления ИМС.

  7. Основные положения и принципы микроэлектроники.

  8. Классификация изделий микроэлектроники.

  9. Подложки полупроводниковых, пленочных и гибридных ИМС.

  10. Технология получения слоев оксида и нитрида кремния.

  11. Литография. Легирование полупроводников диффузией.

  12. Технологический процесс нанесения полупроводниковых пленок.

  13. Технология нанесения толстых пленок.

  14. Получение различных конфигураций тонкопленочных структур.

  15. Металлизация полупроводниковых структур.

  16. Технология изготовления полупроводниковых ИМС и БИС.

  17. Технология изготовления гибридных ИМС, БИС и МСБ.

  18. Технологический процесс методов и этапов сборки.

  19. Монтаж кристаллов и плат.

  20. Способы защиты ИМС.

  21. Технология изготовления биполярных ИМС и диэлектрической изоляцией.

  22. Технология изготовления совмещенных ИМС.

  23. Технология изготовления толстопленочных гибридных ИМС.

  24. Технология изготовления тонкопленочных гибридных ИМС.

  25. Технология изготовления гибридных БИС и МСБ.

  26. Методы и этапы сборки.

  27. Технология монтажа кристаллов и плат.

  28. Способы защиты полупроводниковых ИМС и БИС.

  29. Термическое вакуумное напыление.

  30. Резистивное напыление.

  31. Индукционное напыление.

  32. Электронно-лучевое напыление.

  33. Лазерное напыление.

  34. Электродуговое напыление.

  35. Распыление ионной бомбардировкой.

  36. Катодное распыление.

  37. Магнетронное распыление.

  38. Высокочастотное распыление.

  39. Плазмоионное распыление в несамостоятельном газовом разряде.

  40. Назначение и классификация подложек ИМС.

  41. Подложки полупроводниковых ИМС.

  42. Подложки пленочных и гибридных ИМС.

  43. Способы очистки пластин и подложек.

  44. Получение слоев оксида и нитрида кремния.

  45. Литография – виды литографии.

  46. Ионное легирование полупроводников.

  47. Эпитаксиальное наращивание полупроводниковых слоев.

  48. Нанесение тонких пленок в вакууме.

  49. Нанесение толстых пленок.

  50. Металлизация полупроводниковых структур.

  51. Изготовление биполярных ИМС.

  52. Изготовление биполярных ИМС с комбинированной изоляцией.

  53. Изготовление тонкопленочных гибридных ИМС.

  54. Изготовление толстопленочных гибридных ИМС.

  55. Изготовление совмещенных ИМС.

  56. Методы и этапы сборки.

  57. Контроль полупроводниковых ИМС.

  58. Контроль гибридных ИМС.

  59. Контроль БИС.

  60. Основные виды причин и отказов ИМС.

9.4. Тематика вопросов для самостоятельной работы студентов.

  1. Лазерная обработка пластин и подложек ИМС.

  2. Плазменная обработка.

  3. Электронно-лучевая обработка.

  4. Ультразвуковая очистка.

  5. Классификация ИМС и система условных обозначений.

  6. Полупроводниковые ИМС.

  7. Пленочные и гибридные ИМС.

  8. Большие интегральные микросхемы.

  9. Микросборки.

  10. Компоненты гибридных ИМС.

  11. Корпуса для интегральных микросхем.

  12. Сравнение различных типов ИМС.

  13. Этапы развития электроники.

  14. Туннельный эффект.

  15. Полупроводниковые материалы в твердотельной электронике.

  16. Роль полупроводниковых структур в микро- и наноэлектронике.

  17. Виды транзисторов – назначение, технология получения.

  18. Получение эпитаксиальных структур.

  19. Молекулярно-лучевая эпитаксия.

  20. Фотолитография.

  21. Электронно-лучевая литография.

  22. Физика и техника вакуума.

  23. методы создания вакуума.

  24. Методы измерения вакуума.

  25. Методы течеискания.

  26. Назначение и классификация подложек ИМС.

  27. Подложки полупроводниковых ИМС.

  28. Подложки пленочных и гибридных ИМС.

  29. Виды загрязнений поверхности подложек и методы их удаления.

  30. Способы жидкостной обработки пластин и подложек.

  31. Способы сухой очистки пластин и подложек.

  32. Типовые технологические процессы очистки пластин и подложек.

  33. Технология получения слоев оксида и нитрида кремния.

  34. Литография.

  35. Легирование полупроводников диффузией.

  36. Ионное легирование полупроводников.

  37. Эпитаксиальное наращивание полупроводниковых слоев.

  38. Нанесение тонких пленок в вакууме.

  39. Химическое и электрохимическое нанесение пленок.

  40. Нанесение толстых пленок.

  41. Металлизация полупроводниковых структур.

  42. Особенности, этапы и классификация процессов изготовления полупроводниковых ИМС.

  43. Технологические процессы изготовления полупроводниковых биполярных ИМС с изоляцией p-n перехода.

  44. Изготовление биполярных ИМС с диэлектрической изоляцией.

  45. Изготовление биполярных ИМС с комбинированной изоляцией.

  46. Классификация испытаний ИМС.

  47. Проведение испытаний на надежность и оценка из результатов.

  48. Основные виды и причины отказов ИМС.

  49. Автоматизация испытаний.

  50. Назначение и виды контроля.

  51. Контроль БИС.

  52. Контроль гибридных ИМС.

  53. Методы неразрушающего контроля качества ИМС.

  54. Изготовление совмещенных ИМС.

  55. Особенности технологии и методы создания БИС и СБИС.

  56. Изготовление МДП и КМДП ИМС.

  57. Разделение пластин и подложек.

  58. Сборка и защита полупроводниковых ИМС и БИС.

  59. Сборка и защита гибридных ИМС и БИС.

  60. Изготовление тонкопленочных гибридных ИМС.

  61. Изготовление толстопленочных гибридных ИМС.

  62. Стабилизация и подгонка параметров элементов гибридных ИМС.

Необходимая литература для самостоятельной работы: [1]; [3]; [4]; [5]; [7]; [8]; [9]; [12]; [13]; [15]; [16]; [18]/

10. Учебно-методическое и информационное обеспечение дисциплины

Базовые учебники

1. Степаненко И.П. «Основы микроэлектроники» М. Лаборатория базовых знаний. 2001 – 488с.

2. Чернозубов Ю.С. «Технология производства микроэлектронных изделий» М. МИЭМ 2010 – 350с.

Основная литература

3. Щука А.А. Электроника. БХВ-Петербург 2005.

4. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. «Микроэлектроника» М. Вш. 1986.

5. Лемешко Н.В. «Основы проектирование интегральных микросхем» М. МИЭМ 2010 – 270с.

6. Мишин Г.Т. «Проектирование интегральных микросхем» РТУиС, МИЭМ

7. Николаев Д.П. «Курс лекций «Технологические процессы микроэлектроники» РТУиС, МИЭМ 2013

8. Коледов Л.А. «Технология и конструирование микросхем, микропроцессоров и микросборок» СПб изд. Лань 2009 – 400с.

9. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. «Полупроводниковые приборы» Изд. Лань 2009 – 480с.

10. Базовые лекции по электронике (1-2 том) под редакцией Пролейко В.М. Изд. Техносфера М. 2009. Том 1 – 479с. Том 2 – 607с.

Дополнительная литература

11. Киреев В.Ю. «Технология микроэлектроники» М. Техносфера 2006 – 308с.

12. Королев М.А. «Технология конструкции и методы моделирование кремниевых интегральных микросхем» М. Бином лаборат. знаний 2007 – 423с.

13. Росадо Л. «Физическая электроника и микроэлектроника» М.В.ш. 1991 – 351с.

14. Гуськов Г.Я. Блинов Г.А. Газаров А.А. «Монтаж микроэлектронной аппаратуры» М. Радиосвязь 1986 – 175с.

15. Курносов А.И. Юдин В.В. «Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных схем» М.В.ш. 1986 – 386с.

17. Черняев В.Н. «Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров» М. Радиосвязь 1987 – 464с.

18. Парфенов О.Д. «Технология микросхем» М. В.ш. 1986 – 320с.

11. Материально-техническое обеспечение дисциплины

Для проведения практических занятий по дисциплине необходимы: аудитория, оснащенная видеопроектором, интерактивной доской, компьютером и аудиосистемой, а также кафедральная или межкафедральная лаборатория, оснащенная всем необходимым технологическим и контрольным оборудованием, в том числе сканирующие туннельные микроскопы (не менее двух), установка для ультразвуковой очистки, вакуумно-напылительные установки катодно-ионного плазменного напыления.



Похожие документы:

  1. Программа дисциплины “Интегральные устройства радиоэлектроники” для направления 211000. 62 «Конструирование и технология электронных средств»

    Программа дисциплины
    ... и отчетности. Программа предназначена для преподавателей, ведущих данную дисциплину, учебных ассистентов и студентов направления подготовки для направления 211000.62 «Конструирование и технология электронных средств» подготовки ...
  2. Программа дисциплины «Материалы и компоненты электронных средств»  для направления 211000. 62 «Конструирование и технология электронных средств» подготовки бакалавра Авторы программы

    Программа дисциплины
    ... электроники и телекоммуникаций» Программа дисциплины «Материалы и компоненты электронных средств» для направления 211000.62 «Конструирование и технология электронных средств» подготовки бакалавра Авторы программы: от кафедры МТМиТ ...
  3. Санкт-Петербургская ассоциация предприятия радиоэлектроники, приборостроения, средств связи и инфотелекоммуникаций

    Документ
    ... .62 Электроэнергетика и электротехника 200100.62 Приборостроение 210100.62 Электроника и наноэлектроника 210400.62 Радиотехника 211000.62 Конструирование и технология электронных средств 220400.62 ...
  4. Новые поступления из эбс «айбукс»

    Документ
    ... ] : учебное пособие для студентов вузов, обучающихся по направлению 211000 "Конструирование и технологии электронных средств" / В. П. Большаков, А. Л. Бочков. - Электрон. текстовые дан ...
  5. Издания учебной и учебно-методической литературы в ниу итмо в 2013 году

    Документ
    ... А.Г. 090900, 211000 Моделирование на конструкторско-технологическом этапе производства электронных средств Учебное пособие 4 ... технологии Учебное пособие 4 150 150 май № п/п Кафедра Название Автор (ответственный) Направление подготовки Дисциплина ...

Другие похожие документы..