Поиск

Полнотекстовый поиск:
Где искать:
везде
только в названии
только в тексте
Выводить:
описание
слова в тексте
только заголовок

Рекомендуем ознакомиться

'Документ'
Настоящая тендерная документация, предоставляемая организатором тендера потенциальным поставщикам для подготовки тендерных заявок и участия в тендере ...полностью>>
'Документ'
Рукописи, как и книга «Язык, знак, культура», печатаются без сокращений и без изменений. Редакторские примечания, относящиеся главным образом к истори...полностью>>
'Документ'
Настоящий Кодекс регулирует властные отношения по установлению, введению и порядку исчисления и уплаты налогов и других обязательных платежей в бюджет...полностью>>
'Документ'
Тест по окружающему миру по темам: «Вещества. Состояние веществ», «Энергия», «Оболочка планеты, охваченная жизнью», «Твои родные и твоя Родина в поток...полностью>>

Главная > Документ

Сохрани ссылку в одной из сетей:
Информация о документе
Дата добавления:
Размер:
Доступные форматы для скачивания:

Перечень докладов (на 9 сентября) на Первую Российско-белорусскую научно-техническую конференцию

«Элементная база отечественной радиоэлектроники», посвящённую 110-летию со дня рождения О. В. Лосева

Направление 1. Электрические, оптические, структурные и химические свойства полупроводниковых материалов. Физика полупроводниковых приборов. Приборы на квантовых эффектах. Моделирование на суперЭВМ методом молекулярной динамики физических процессов в материалах и компонентах электронной техники. Наноструктуры и нанотехнологии в микроэлектронике. Моделирование сложных наносистем, в том числе на суперЭВМ.

Название доклада

Авторы доклада

Структуры

1

НА ПОРОГЕ ЭРЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ. О.В. ЛОСЕВ

с.н.с, к.ф.-м.н. Остроумова Е.В.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург

2

МОДЕЛИРОВАНИЕ НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СУБМИКРОННЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ GaAs/AlGaAs

к.ф.-м.н., с.н.с. Ткаченко О.А., к.ф.-м.н. Ткаченко В.А., д.ф.-м.н., проф. Квон З.Д., д.ф.-м.н., чл.-корр. РАН Латышев А.В., д.ф.-м.н., академик РАН Асеев А.Л.

Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск

3

МНОГОЗАТВОРНЫЙ 3х-МЕРНЫЙ ПРИБОР С ПОЛЕВЫМ УПРАВЛЕНИЕМ ТРАНСПОРТОМ ОТРИЦАТЕЛЬНО ЗАРЯЖЕННЫХ ЭКСИТОНОВ

член-корр. НАНБ, проф.,

д.т.н. Гурский Л.И., в.н. с,

к. ф.-м. н. Крылова Г. В. *

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (БГУИР), * Белорусский государственный университет (БГУ), Минск

4

Формирование и электронные свойства квантовых точек Ge в матрице Si — моделирование на супер-ЭВМ

член-корр. РАН Двуреченский А.В., к.ф.-м.н. Блошкин А.А., к.ф.-м.н. Зиновьев В.А., к.ф.-м.н. Ненашев А.В., к.ф.-м.н. Новиков П.Л., к.т.н. Поляков А.Ю., асп. Рудин С.А., к.ф.-м.н. Смагина Ж.В., д.ф.-м.н. Якимов А.И.

Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск

5

ДВОИЧНО-ВЗВЕШЕННЫЙ ЦУГОВЫЙ ЦАП ДЛЯ

НИЗКОВОЛЬТНЫХ КМОП-АЦП НА КНИ-ПОДЛОЖКАХ

аспирант Кононов В.С1.

инженер Зольников В.К.2

1 – Воронежский государственный технический университет

2 - Воронежская государственная лесотехническая академия

Название доклада

Авторы доклада

Структуры

6

НАЧАЛО ПРОМЫШЛЕННОГО ВЫПУСКА SiC ПОДЛОЖЕК И ПРИБОРОВ НА ИХ ОСНОВЕ

проф. Лебедев А.А.1, инж. Белов С.В.1, мнс. Лебедев С.П.1, инж. Литвин Д.П.1,2 , инж.Никитина И.П.1, инж. Васильев А.В. 2, к.ф.-м.н. Макаров Ю.Н.2, инж. Нагалюк С.С.2, к.ф.-м.н.Стрельчук А.М.1, к.т.н. Попов В.В.3, к.ф.-м.н. Вьюгинов В.Н.4, инж. Шифман Р.Г.4, инж. Кузмичёв Ю.С.4, инж. Травин Н.К.4, инж. Венедиктов О.В. 4.

1) Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, СПб,

2) ГК «Нитридные кристаллы» , СПб,

3) ОАО «Светлана», СПб,

4) ЗАО «Светлана-Электронприбор», СПб,

7

КРАЕВАЯ ИНЖЕКЦИОННАЯ

ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ В SiC pn СТРУКТУРАХ

с.н.с. Стрельчук А. М.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург

8

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ КОНВЕКЦИИ-ДИФФУЗИИ В ТВЕРДОТЕЛЬНО-ЖИДКОСТНЫХ НАНОСТРУКТУРАХ ПЛАНАРНОГО ТИПА С

РАЗЛИЧНОЙ ГЕОМЕТРИЕЙ

студ. Касперович И.П.1,2,

к. ф.-м. н. Криштоп В. Г.1,2

1 Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН, Черноголовка

2 Московский физико-технический институт, Долгопрудный

9

ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ СОЗДАНИЯ МОЗАИЧНЫХ НЕОХЛАЖДАЕМЫХ МИКРОБОЛОМЕТРИЧЕСКИХ ПРИЕМНИКОВ ИНФРАКРАСНОГО И ТЕРАГЕРЦОВОГО СПЕКТРАЛЬНЫХ ДИАПАЗОНОВ ФОРМАТОМ ДО 3072×576 И БОЛЕЕ

с.н.с., к.ф.-м.н. М.А. Демьяненко1, в.н.с., к.ф.-м.н. Д.Г. Есаев1, с.н.с., к.ф.-м.н. А.Г. Клименко1, с.н.с., к.т.н. А.И. Козлов1, с.н.с. И.В. Марчишин1, с.н.с., к.т.н. А.Р. Новоселов2, проф., г.н.с., д.ф.-м.н. В.Н. Овсюк1

1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск

2Новосибирский филиал ИФП СО РАН «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники»

10

ВНЕЭЛЕКТРОДНАЯ ПЛАЗМА ДЛЯ ЗАДАЧ

МИКРО- И НАНОТЕХНОЛОГИЙ

проф., д.ф.-м.н. Колпаков В.А.1,2

1Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королёва,

2Институт систем обработки изображений РАН

Название доклада

Авторы доклада

Структуры

11

НАНОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЙ

АЛЮМООКСИДНОЙ ТЕХНОЛОГИИ

проф., д.т.н. Мухуров Н.И.,

доц., д.ф.-м.н. Гасенкова И.В.

Институт физики имени Б.И. Степанова НАН Беларуси, Минск

12

СПОСОБ ВОССТАНОВЛЕНИЯ ФОРМЫ ОПТИЧЕСКИХ СИГНАЛОВ С ДЛИТЕЛЬНОСТЬЮ МЕНЬШЕЙ ПОСТОЯННОЙ ВРЕМЕНИ ФОТОПРИЕМНИКА

доц., к.ф.-м.н. Гришаев В.Я.,

доц., к.ф.-м.н Никишин Е.В.,

асп. Пескова Е.Е.

Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, Саранск

13

РАЗРАБОТКА СФ-БЛОКОВ ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОМОЩНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ ДЛЯ ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫХ КРЕМНИЕВЫХ ФОТОЭЛЕКТРОННЫХ УМНОЖИТЕЛЕЙ

Зав НИЛ Симаков А.Б.,

доц. Бочаров Ю.И.,

асс. Бутузов В.А.

Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ

14

МЕТАСТАБИЛЬНОСТЬ СПИНОВОГО ПЕРЕНОСА В СЛОИСТЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С ДИНАМИЧЕСКИ СУПЕРСИММЕТРИЧНЫМИ СОСТОЯНИЯМИ

член-корр. НАНБ, проф.,

д.т.н. Гурский Л.И., в.н. с,

к. ф.-м. н. Крылова Г. В. *

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (БГУИР), * Белорусский государственный университет (БГУ), Минск

15

КВАЗИАКТИВНЫЕ УСТРОЙСТВА ЗАЩИТЫ ДЛЯ

ПРИЕМНИКОВ СВЧ ДИАПАЗОНА

И.В. Кручинин1,

д. т. н. О.С. Орлов2,

Н.В. Шипунова1

1 ЗАО НПП «Салют-25», Нижний Новгород, 2 ФГУП «НПП «Салют», Нижний Новгород

16

МОДУЛИ АЦП ДЛЯ МАТРИЧНЫХ КМОП ПРИЁМНИКОВ

нач. лаб., к.т.н. Бородин Д.В., доц. к.т.н. Певцов Е.Ф., нач. отд. к.т.н. Скрылев А.С., асп. Шнякин А.А.

Московский институт радиотехники, электроники и автоматики

17

ЭФФЕКТ РЕЗОНАНСНОГО ТУННЕЛИРОВАНИЯ НОСИТЕЛЕЙ И ЕГО ИСПОЛЬЗОВАНИЕ В ТРАНЗИСТОРАХ

доц., к. ф-м. наук Попов В. Г.1, 2

1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка,

2Московский физико-технический институт (НИУ), Долгопрудный

Направление 2. Радиационностойкая микроэлектроника. Космические электронные компоненты и вопросы их сертификации. Доминирующие эффекты в полупроводниковой электронной компонентной базе при воздействии импульсных и стационарных ионизирующих излучений. Математические модели электронной компонентной базы при воздействии ионизирующих излучений. Проектирование современных радиационностойких интегральных схем и радиационностойкой радиоэлектронной аппаратуры. Имитационное моделирование на суперЭВМ при проектировании современных радиационностойких интегральных схем.

Название доклада

Авторы доклада

Структуры

1

РАДИАЦИОННОСТОЙКИЕ КМОП ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ И СХЕМЫ

д.т.н. Богатырев Ю.В.1, член-корр. НАНБ, проф. Коршунов Ф.П.1, д.ф.-м.н. Грабчиков С.С.1, к.ф.-м.н. Ластовский С.Б.1, д.т.н. Турцевич А.С.2, директор НТЦ «Белмикросистемы» Шведов С.В.2, проф. Белоус А.И.2

1 ГНПО «НПЦ НАН Беларуси по материаловедению»,

2 ОАО «Интеграл», Минск

2

ПРОБЛЕМЫ И ОСОБЕННОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ КАРБИДА КРЕМНИЯ ПРИ РАЗРАБОТКЕ РАДИАЦИОННО СТОЙКОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ

асп. Фиронов В.А., асп. Черных М.И., Ряскин И.В., Тарасов С.В,

д.т.н. проф. Зольников В.К, к.ф.м.н. Цоцорин А.Н., Дикарев В.И., к.т.н. Кожевников В.А.

ОАО «НИИ электронной техники», Воронеж

3

ОБЕСПЕЧЕНИЕ СТОЙКОСТИ МИКРОКОНТРОЛЛЕРОВ К ВОЗДЕЙСТВИЮ ТЯЖЕЛЫХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ

проф.Зольников В.К. 1, нач. лаб. Яньков А.И.2, нач. лаб. Смерек В.А.2, зам.директора Ачкасов А.В. 2

1- Воронежская государственная лесотехническая академия,

2- ОАО НИИ электронной техники, Воронеж

4

ПРОЕКТИРОВАНИЕ РАДИАЦИОННО-СТОЙКОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ

инженер Зольников К.В. 1,

инженер Стоянов А.А.1,

аспирант Кононов В.С. 2

1 - ОАО «НИИ электронной техники», Воронеж

2 - Воронежский государственный технический университет

5

МАТЕМАТИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ С УЧЕТОМ РАДИАЦИИ СО СХЕМОТЕХНИЧЕСКОГО НА ФУНКЦИОНАЛЬНО-ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ

директор Ачкасов В.Н.,

инженер Зольников К.В., инженер Конарев М.В.

ОАО «НИИ электронной техники», Воронеж

Название доклада

Авторы доклада

Структуры

6

РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИХ ИСПЫТАНИЙ ПО ОЦЕНКЕ ВОЗМОЖНОСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ЭЛЕКТРОРАДИОИЗДЕЛИЙ ИНОСТРАННОГО ПРОИЗВОДСТВА В БЕССВИНЦОВОМ ИСПОЛНЕНИИ В АППАРАТУРЕ КОСМИЧЕСКОГО АППАРАТА

инж. Масич П.Ю.,

к.т.н. Подлесная Г.В.,

инж. Абубекарова Н.Р.,

асп. Казаков П.И.

ОАО «Корпорация космических систем специального назначения «Комета», Москва

7

ИССЛЕДОВАНИЕ ГАЗОВОЙ АТМОСФЕРЫ ПРИ ТЕРМОВАКУУМНЫХ ИСПЫТАНИЯХ ЭЛЕКТРОННЫХ БЛОКОВ КОСМИЧЕСКОГО АППАРАТА

асп. Волков А.Г.,

асп. Дюгаева Н.А.,

к.т.н. Подлесная Г.В.

ОАО «Корпорация космических систем специального назначения «Комета», Москва

8

ПРОЕКТИРОВАНИЕ И КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ СОВРЕМЕННЫХ РАДИАЦИОННОСТОЙКИХ ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ ДИНАМИЧЕСКИХ

ТОКОВЫХ КАСКАДОВ

доц. Лебедев А.А.,

студ. Яковлева Н.М.

Московский

инженерно-физический

институт

9

ВОЗДЕЙСТВИЕ СПЕЦФАКТОРОВ НА ИСТОЧНИКИ ВТОРИЧНОГО ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ

инж. Светлаков В.А.,

инж. Пронькин И.Г.

ФГУП НПО автоматики им. академика Н.А. Семихатова, Екатеринбург

10

ИЗУЧЕНИЕ ВОЗМОЖНОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ СУБ-100 НМ ТЕХНОЛОГИЙ ДЛЯ КОСМИЧЕСКИХ АППАРАТОВ С ДЛИТЕЛЬНЫМИ СРОКАМИ АКТИВНОГО ФУНКЦИОНИРОВАНИЯ

к.т.н. Горбунов М.С.1, Долотов П.С.1, к.т.н. Шунков В.Е.1, Антонов А.А.1, д.т.н. Зебрев Г.И.2, Емельянов В.В.3, Боруздина А.Б.2,4, Петров А.Г.2,4, к.т.н. Уланова А.В.2,4

1 НИИСИ РАН, Москва, 2 НИЯУ МИФИ, Москва, 3 ФГУП «НИИП», Лыткарино, 4 ОАО «ЭНПО «СПЭЛС», Москва

11

РАДИАЦИОННО-СТОЙКИЙ МИКРОКОНТРОЛЛЕР СО ВСТРОЕННЫМ АЦП, КОНТРОЛЛЕРОМ ИНТЕРФЕЙСА ГОСТ Р 52070-2003 И SPACE WIRE

нач. лаборатории Смерек В.А.

ОАО «НИИ электронной техники», Воронеж

12

ОПЫТ ИСПЫТАТЕЛЬНОГО ЦЕНТРА ОАО «НИИ КП» ПО КОНТРОЛЮ СТОЙКОСТИ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ К ВОЗДЕЙСТВИЮ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ КОСМИЧЕСКОГО ПРОСТРАНСТВА

Заместитель генерального директора – заместитель главного конструктора В.С.Анашин, начальник сектора П.А.Чубунов, начальник группы Т.А.Симонова

ОАО «НИИ космического приборостроения», Москва

Название доклада

Авторы доклада

Структуры

13

ПОДХОД К ТЕСТИРОВАНИЮ СЛОЖНО-ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ПРИМЕНЕННЫЙ ПРИ ИСПЫТАНИЯХ ДВУХПРОЦЕССОРНОЙ «СИСТЕМЫ НА КРИСТАЛЛЕ» НА БАЗЕ ЯДЕР 32-РАЗРЯДНЫХ ПРОЦЕССОРОВ ЦОС

к.т.н. Яньков А.И.1,

к.т.н. Ачкасов А.В.1,

Зольников К.В.1,

к.т.н. Конарев М.В.1,

к.т.н. Орликовский Н.А.2

1ОАО «НИИ электронной техники», Воронеж,

2 Физико - технологический институт РАН, Москва

14

ОСОБЕННОСТИ ИСПЫТАНИЙ СОВРЕМЕННЫХ СБИС И ФОРМИРОВАНИЕ ТРЕБОВАНИЙ К ПАРАМЕТРАМ-КРИТЕРИЯМ ГОДНОСТИ ИЭТ

к.т.н. Яньков А.И.

ОАО «НИИ электронной техники», Воронеж

15

О СОЗДАНИИ ЛОГИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ НА БАЗЕ НПС, РАБОТАЮЩИХ В ВЫСШИХ ЗОНАХ НЕУСТОЙЧИВОСТИ КОЛЕБАНИЙ, И СПОСОБЫ ИХ РЕАЛИЗАЦИИ НА НОВЫХ ТЕХНОЛОГИЯХ

Проф. д.ф.-м.н. Шеин А.Г.1,

проф., д.ф.-м.н. Синявский Г.П.2,

доц., к.т.н., д.ф.-м.н. Черкесова Л.В. 3,

вед. инж. Шаламов Г.Н.4

1 Волгоградский государственный технический университет

2 Южный федеральный университет

3 Донской государственный технический университет

4 Ростовский научно-исследовательский институт радиосвязи

16

РАБОТОСПОСОБНОСТЬ И НАДЁЖНОСТЬ КМОП ТРАНЗИСТОРОВ С НАНОМЕТРОВЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ ПРИ РАДИАЦИОННЫХ ВОЗДЕЙСТВИЯХ

д.ф.-м.н., зав. лаб. В. П. Попов,

М.А. Ильницкий

Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск

17

Приборно-технологическая модель СВЧ PHEMT транзистора на основе псевдоморфной гетероструктуры ALGaAs/InGaAs/GaAs

инж. Метелкин И.О.1, 2,

инж. Усачев Н.А.1,2

1ОАО «ЭНПО СПЭЛС», г. Москва,

2Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» (НИЯУ МИФИ), г. Москва

18

РЕЗУЛЬТАТЫ СРАВНИТЕЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ ДОЗОВЫХ ЭФФЕКТОВ C ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ИСТОЧНИКОВ ГАММА И РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЙ

Зам. руководителя испытательного центра, к.т.н. Бойченко Д.В.1,
зам. руководителя НТК, к.т.н. Кессаринский Л.Н.1, зам. генерального директора, к.т.н. Анашин В.С.2

1ОАО «ЭНПО СПЭЛС», Москва

2ОАО «НИИ Космического приборостроения, Москва

Название доклада

Авторы доклада

Структуры

19

РАЗРАБОТКА И ПРОИЗВОДСТВО КМОП БИС СОЗУ БОЛЬШОЙ ИНФОРМАЦИОННОЙ ЕМКОСТИ НА ОСНОВЕ КНИ СТРУКТУР

инж. Алиева Н.В.1, проф., д.т.н. Белоус А.И .1, доц., к.т.н. Бондаренко В.П.2, научный сотрудник Долгий Л.Н.2, инж. Лозицкий Е.А.1, инж. Сорока С.А. 1, проф., д.т.н. Турцевич А.С.1, инж. Шведов С.В.1, инж. Усов Г.И.1

1 Филиал НТЦ “Белмикросистемы” ОАО “ИНТЕГРАЛ” Минск,

2 Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (БГУИР),

Минск

20

РАЗРАБОТКА МИКРОСХЕМЫ СтОЗУ 16 Мбит С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ КОМПЛЕКТУЮЩИХ ИЗДЕЛИЙ ИНОСТРАННОГО ПРОИЗВОДСТВА ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова»

к.т.н. Агарков И.М.,

инж. Федотов П.Е.

ФГУП ФНПЦ «Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова», Нижний Новгород

21

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ И ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕДЕНИЯ ФТОРА В ЗАХОРОНЕННОМ ДИЭЛЕКТРИКЕ КОМПОЗИЦИЙ КНИ

инж. Гуськова О.П 1,2.,

проф. Воротынцев В.М.2,

инж. Абросимова Н.Д1.,

нач. сектора., к.ф.м.н. Шоболов Е.Л. 1, нач.сектора Минеев1 М.Н.

ФГУП ФНПЦ «Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова»1 , Нижний Новгород, Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева2

22

ПРОГРАММА ФИЗИКО-ТОПОЛОГИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ПРОЦЕССОВ В ПЕРСПЕКТИВНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ С УЧЕТОМ РАДИАЦИОННОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ С РАСПАРАЛЛЕЛИВАНИЕМ ВЫЧИСЛЕНИЙ

д.ф.-м.н., с.н.с. Киселев В.К.,

д.т.н., доцент Оболенский С.В., к.ф. м.н. Пузанов А.С.,

Скупов А.В.

ФГУП ФНПЦ «Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова», Нижний Новгород

23

ИСПОЛЬЗОВАНИЕ КОМПЬЮТЕРНЫХ ИМИТАЦИОННЫХ МЕТОДОВ АППРОКСИМАЦИИ SPICE-ПАРАМЕТРОВ ДЛЯ ПРОГНОЗИРОВАНИЯ ДОЗОВЫХ ЭФФЕКТОВ БОЛЬШИХ УРОВНЕЙ РАДИАЦИОННОЙ НАГРУЗКИ В БИС ТЕХНОЛОГИИ КМОП/КНД

Качемцев А.Н.,

д. ф.-м.н. Киселев В.К.,

Субботин А.Е.,

к.т.н. Торохов С.Л.

ФГУП ФНПЦ «Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова», Нижний Новгород

24

ОЦЕНКА УРОВНЯ СБОЕУСТОЙИВОСТИ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ИМПУЛЬСНЫХ РАДИАЦИОННЫХ НАГРУЖЕНИЙ НА БИС ТЕХНОЛОГИИ КМОП/КНД ПО РЕЗУЛЬТАТАМ КОМПЛЕКСНОЙ ОБРАБОТКИ ИНФОРМАЦИИ

Качемцев А.Н.,

д. ф.-м.н. Киселев В.К.,

Субботин А.Е.,

к.т.н. Торохов С.Л.

ФГУП ФНПЦ «Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова», Нижний Новгород

Название доклада

Авторы доклада

Структуры

25

РЕШЕНИЕ ПРИКЛАДНЫХ ЗАДАЧ КУЛОНОМЕТРИЧЕСКИМ МЕТОДОМ В РАДИАЦИОННЫХ ЭКСПЕРИМЕНТАХ С БИС ТЕХНОЛОГИИ КМОП/КНД

Качемцев А.Н.,

д. ф.-м.н. Киселев В.К.,

Субботин А.Е.,

к.т.н. Торохов С.Л.

ФГУП ФНПЦ «Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова», Нижний Новгород

26

НОВЫЕ МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫЕ СЕНСОРЫ С ПОВЫШЕННОЙ НАДЕЖНОСТЬЮ В ЭКСТРЕМАЛЬНЫХ УСЛОВИЯХ ЭКСПЛУАТАЦИИ (РАДИАЦИЯ, ТЕМПЕРАТУРА)

В.Н Мордкович ¹,

А.В. Леонов ¹,

Д.М.Пажин ¹,

М.И. Павлюк ²

¹ Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка,

² ЗАО «ПКК Миландр», Зеленоград

27

асинхронные микропроцессоры для космических систем

д.т.н. Бобков С.Г. 1, Сурков А.В.1, к.т.н. Степченков Ю.А.2, к.т.н. Дьяченко Ю.Г.2

НИИ системных исследований РАН,

2 Институт проблем информатики РАН

28

САМОСИНХРОННЫЙ Базис реализации радиационностойких микросхем

д.т.н. Бобков С.Г.1, к.т.н. Степченков Ю.А.2, к.т.н. Плеханов Л.П2., к.т.н. Дьяченко Ю.Г.2, Сурков А.В.1

НИИ системных исследований РАН,

2 Институт проблем информатики РАН

Направление 3. Оптоэлектроника, в том числе оптоэлектронные приборы на гетероструктурах, гетероструктурная СВЧ-электроника, волоконная оптика, акустоэлектроника, фрактальные радиоэлементы, пассивная элементная база: устройства и материалы.

Название доклада

Авторы доклада

Структуры

1

АКУСТОЭЛЕКТРОННАЯ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА

к. т. н., доц. Балышева О.Л.

Санкт-Петербургский государственный университет аэрокосмического приборостроения

2

Оптоэлектронный генератор СВЧ с полностью оптическим усилением

к.ф.-м.н. Чиж А. Л., асп. Микитчук К. Б., д.ф.-м.н. Малышев С. А.

Институт физики им. Б. И. Степанова НАНБ, Минск

3

МОЩНЫЙ СВЧ-ФОТОДИОД ДЛЯ СИСТЕМ РАДИОЛОКАЦИИ И РАДИОСВЯЗИ

д.ф.-м.н. Малышев С.А. 1, к.ф.-м.н. Чиж А.Л. 1, к.ф.-м.н. Хорунжий И.А. 2, д.ф.-м.н. Доманевский Д.С. 2, Тептеев А.А. 3, Гущинская Е.В. 1, Романова Л.И. 1

Институт физики им. Б. И. Степанова НАНБ, Белорусский национальный технический университет, ОАО «Минский НИИ радиоматериалов»

4

ФОТОННЫЕ УСТРОЙСТВА ОБРАБОТКИ И КОММУТАЦИИ ОПТИЧЕСКОГО СИГНАЛА

в.н.с. Перепелицын Ю.Н.1,

к.т.н. Жаворонков Н.В.2

1 Саратовский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, 2 ЗАО «НИИ Материаловедения», Зеленоград

5

МОЩНЫЕ СВЕТОДИОДЫ В СРЕДНЕЙ ИК ОБЛАСТИ СПЕКТРА (1,6 –4,6 МКМ) НА ОСНОВЕ УЗКОЗОННЫХ СОЕДИНЕНИЙ III-V

проф., д.ф.-м.н. Яковлев Ю.П.1, снс, к.ф.-м.н. Шерстнев В.В.1, гнс, д.ф.-м.н. Михайлова М.П.1, снс, к.ф.-м.н. Гребенщикова Е.А.1, асп., Слобожанюк С.И. 1, нс, к.ф.-м.н. Иванов Э.В. 2, снс. к.ф.-м.н. Ильинская Н.Д.1, нс, к.ф.-м.н. Серебренникова О.Ю.2

1 Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН, Санкт-Петербург,
2 ООО «АИБИ», Санкт-Петербург,

6

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦЕПЕЙ С ФРАКТАЛЬНЫМ ИМПЕДАНСОМ: ОТ ТЕОРИИ К ПРАКТИКЕ

проф. Ушаков П.А.1,

преп. Максимов К.О.1,

инж. Мерзляков Ю.В.2

1 Ижевский государственный технический университет имени М.Т. Калашникова, 2 ОАО «Ижевский радиозавод», ООО «ИРЗ «ТЕСТ»

7

ЛАЗЕРНЫЕ СВЕРХРЕШЁТКИ

кфмн Довженко А.Ю., акад. РАН Мержанов А.Г., дфмн Руманов Э.Н.

Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения, Черноголовка

Название доклада

Авторы доклада

Структуры

8

СРАВНЕНИЕ ВЕЛИЧИНЫ СВЧ ПОТЕРЬ В GAAS ГОМОСТРУКТУРНЫХ И ALGAAS/GAAS ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫХ PIN-ДИОДАХ

инж. Шестаков А.К.,

д.ф.-м. Журавлев К.С.

Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск

9

МНОГОКАНАЛЬНЫЕ АКТИВНЫЕ ОПТИЧЕСКИЕ КАБЕЛИ СО СКОРОСТЬЮ ПЕРЕДАЧИ ДАННЫХ ДО 14 ГБИТ/С на 1 КАНАЛ

к.ф.-м.н. Карачинский Л.Я.1,2, к.ф.-м.н. Блохин С.А.1,2, к.ф.-м.н. Новиков И.И.1,2, к.т.н. Щербаков В.В.3, к.ф.-м.н. Климов Ю.А.4, чл.-корр. РАН Абрамов С.М.4

1 ООО «Коннектор Оптикс»,

2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург,

3 ЗАО «Центр ВОСПИ»,

4 Институт программных систем им. А.К. Айламазяна РАН, Переяславль-Залесский

10

НОВЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ АНАЛОГОВЫЕ И ЦИФРОВЫЕ УСТРОЙСТВА НА ОСНОВЕ РЕЗИСТОРНОГО ОПТРОНА

проф. Денисов Б.Н.,

асп. Зазулин Я.А.

Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, Саранск

11

ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКАЯ РАСПРЕДЕЛИТЕЛЬНАЯ СИСТЕМА ДЛЯ АКТИВНЫХ ФАЗИРОВАННЫХ АНТЕННЫХ РЕШЕТОК

к.ф.-м.н. Чиж А.Л.,

д.ф.-м.н. Малышев С.А.

Институт физики им. Б. И. Степанова НАНБ, Минск

12

ФРАКТАЛЬНЫЕ РАДИОСИСТЕМЫ, ОБНАРУЖИТЕЛИ СИГНАЛОВ И ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА КАК ПРИМЕР РЕАЛИЗАЦИИ ФРАКТАЛЬНОЙ ПАРАДИГМЫ И ГЛОБАЛЬНОГО ФРАКТАЛЬНО-СКЕЙЛИНГОВОГО МЕТОДА В РАДИОФИЗИКЕ, ОБРАБОТКЕ СИГНАЛОВ И РАДИОЛОКАЦИИ

д.ф.-м.н., проф., академик АИН им. А.М. Прохорова и РАЕН Потапов А.А.

Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва

13

ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ НИТРИДНЫХ СВЧ ПРИБОРОВ МИЛЛИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА ЗА РУБЕЖОМ И В РОССИИ

д.т.н., проф. Мальцев П. П.,

Фёдоров Ю.В.

Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, Москва

14

ПРИМЕНЕНИЕ СТОХАСТИЧЕСКИХ ФРАКТАЛЬНЫХ ЛАБИРИНТОВ В ПРОЕКТИРОВАНИИ ПАССИВНЫХ РАДИОКОМПОНЕНТОВ И ФРАКТАЛЬНЫХ АНТЕННЫХ РЕШЕТОК С БОЛЬШИМ ЧИСЛОМ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ

д.ф.-м.н., проф., академик АИН им. А.М. Прохорова и РАЕН Потапов А.А., асп. Слезкин Д.В

Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва

Название доклада

Авторы доклада

Структуры

15

ПРОБЛЕМЫ И РЕШЕНИЯ КОМПЛЕКСНОЙ МИНИАТЮРИЗАЦИИ УСТРОЙСТВ СВЧ И КВЧ ДИАПАЗОНОВ

д.т.н. Орлов О.С. 1,

к.т.н. Бабунько С.А. 2

1 ОАО НПП «Салют», Нижний Новгород, 2 ЗАО «НПП «Салют-27», Нижний Новгород

16

CВЧ АКУСТОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ. ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ.

к. ф.-м. н. Двоешерстов М.Ю., к. ф.-м. н. Чередник В.И., Босов С.И.

ОАО «КБ «Икар», ННГУ им. Н.И. Лобачевского

17

Элементная база КВЧ диапазона на основе диэлектрических структур: полувековой путь отечественных НИОКР и перспективы технологического развития

д.т.н., проф. Взятышев В.Ф.1; д.т.н., проф. Банков С.Е.2,1; д.т.н. Орехов Ю.И.3; к.т.н., проф. Штыков В.В.1; к.т.н., доц. Крутских В.В.1; инж. Панкратов А.Г.4; инж.-иссл. Чуркин С.С.3,4; к.т.н., доц. Владимиров С.В.1

1 Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт» (НИУ МЭИ), Москва, 2 Институт радиотехники и электроники
им. В.А. Котельникова РАН, Москва

3 Научно-исследовательский институт измерительных систем (НИИИС), Нижний Новгород

4 ООО «АФС-52», Нижний Новгород

Направление 4. Технологии получения материалов для элементной базы отечественной радиоэлектроники, а также методы их исследования: сканирующая зондовая микроскопия, рентгеноструктурный анализ и. т. д. Оптическая, рентгеновская и электронная литография. Моделирование на суперЭВМ технологических процессов микроэлектроники.

Название доклада

Авторы доклада

Структуры

1

СТРУКТУРНЫЕ И ТЕПЛОВЫЕ СВОЙСТВА ХАЙКОКИТА Cu4Fe5S8

доц. Корзун Б.В.1, асп. Гавриленко А.Н.2, проф. Соболь В.Р.3, проф. Матухин В.Л.2, Prof. Schorr S.4, 5

1ГНПО “НПЦ НАНБ по материаловедению”, Минск,

2 Казанский государственный энергетический университет,

3Белорусский государственный педагогический университет имени Максима Танка, Минск, 4Freie Universität Berlin, 5Helmholtz Zentrum Berlin für Materialen und Energie

2

РЕНТГЕНОВСКИЕ МЕТОДЫ ДИАГНОСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ И СТРУКТУР

член-корр. РАН Аристов В.В.,

д. ф.-м. н. Рощупкин Д.В.,

д. ф.-м. н. Якимов Е.Б.

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка

3

РАЗРАБОТКА ЭЛЕКТРОННО-ЗОНДОВОГО ОБОРУДОВАНИЯ ДЛЯ НАНОТЕХНОЛОГИЙ И ДИАГНОСТИКИ

член-корр. РАН Аристов В.В.,

д. ф.-м. н. Казьмирук В.В

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка

4

Характеризация Наноструктур методами растровой электронной микроскопии

д.ф.-м.н., проф. Е.Б. Якимов

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка

5

РАСШИРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ ЗА СЧЁТ ПРИМЕНЕНИЯ ПЛАЗМЕННЫХ ПРОЦЕССОВ

зав. лаб., доц., к.т.н. Шаповал С.Ю., с. н. с. Ковальчук А.В., н.с. Холопова Ю.С., м.н.с. Ермолаев Д.М., н.с., к.т.н. Земляков В.Е.

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка

6

ИССЛЕДОВАНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КАРБИДА КРЕМНИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ

д.т.н., проф. Гейфман Е.М.,

к.т.н. Гарцев Н.А.,

Давыдова Н.М.

ЗАО НПК «Электровыпрямитель», Саранск

Название доклада

Авторы доклада

Структуры

7

ВЫРАЩИВАНИЕ ОБЪЕМНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ АВТОМАТИЗИРОВАННОЙ ПРОМЫШЛЕННОЙ УСТАНОВКИ NIKA-SiC И ИХ ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ

Снс, ктн Жохов1 А.А., проф., дтн Емельченко1 Г.А., дтн Бородин2 А.В., член-корр. РАН Бородин2 В.А., член-корр. РАН Кведер1 В.В.

1 Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка

2 Экспериментальный завод научного приборостроения РАН, Черноголовка

8

ВЛИЯНИЕ СТАЦИОНАРНЫХ И ИМПУЛЬСНЫХ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ РАЗЛИЧНОЙ ПРИРОДЫ НА СВОЙСТВА ИОННО-МОДИФИЦИРОВАННЫХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ И ПРИБОРНОГО КРЕМНИЯ СТРУКТУР КНИ МЕТОДОМ ПСЕВДО-МДП ТРАНЗИСТОРА

инж. Абросимова Н.Д., инж. Гуськова О. П., инж. Гаранин А.Г., д.ф.-м.н., проф. Киселев В.К., нач.сектора Минеев М.Н.

ФГУП ФНПЦ «Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова», Нижний Новгород

9

ОСОБЕННОСТИ ТЕХНОЛОГИИ ГЛУБОКОГО ТРАВЛЕНИЯ КРЕМНИЯ НА СТРУКТУРАХ КНИ

Симакова О.В.1

Филатов Е.А.1

Харитонов В.А.2

ФГУП «ФНПЦ Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю. Е. Седакова» 1, Нижний Новгород, ДЕПАРТАМЕНТ РАЗВИТИЯ НАУЧНО – ПРОИЗВОДСТВЕННОЙ БАЗЫ ЯОК 2

10

ЭЛЕКТРОННАЯ ЛИТОГРАФИЯ НА ОСНОВЕ НаноМейкера – УНИВЕРСАЛЬНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ НАНОКОНСТРУИРОВАНИЯ

С.И. Зайцев1, А. А. Свинцов1,

Б.Н. Гайфуллин2, И.С. Степанов2

1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов ПТМ РАН, Черноголовка, 2Интефейс Лтд., Москва

11

ИССЛЕДОВАНИЕ РАЗЛИЧНЫХ СПОСОБОВ НАНОСТРУКТУРИРОВАНИЯ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ГАЗОПОГЛОЩАЮЩИХ СЛОЕВ ДЛЯ МЭМС

проф. Тимошенков С.П.1, доц. Гаев Д.С.2, доц. Бойко А.Н.1, асп. Литманович Д.М.1, асп. Евстафьев С.С.1, студ. Ковыркин П.Б.1, студ. Проничева Е.В.1

1Московский институт электронной техники, Зеленоград,

2Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова, Нальчик

Направление 5. Исследование внедрения инноваций в микроэлектронике. Проблемы импортозамещения в микроэлектронике. Вопросы экономики, качества, надежности, диагностики и стандартизации в производстве элементной базы отечественной радиоэлектроники.

Название доклада

Авторы доклада

Структуры

1

Инновации в производстве субмикронных изделий

зам. директора УП «КБТЭМ-ОМО», к.т.н. Плебанович В.И.1, аспиранты БГУИР Русецкий В.А.2, Титко Д.С.2 нач. сектора Пушкин Л.В. 1, нач. отд. Дрогун Е.А. 1

1 Научно-производственное республиканское унитарное предприятие «Конструкторское бюро точного электронного машиностроения – оптико-механического оборудования»  Минск, 2 Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск

2

ВОЗМОЖНОСТИ И ПРОБЛЕМЫ РАЗРАБОТКИ ПРИБОРОВ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ НА КАРБИДЕ КРЕМНИЯ

асп.. Черных М.И., асп. Фиро­нов В.А., инж. Ряскин И.В., инж. Тарасов С.В, к.ф-м.н. Цоцорин А.Н., Дикарев В.И., к.т.н. Кожевников В.А, д.т.н. проф. Петров Б.К.1

ОАО «НИИ электронной техники», Воронеж, 1 Воронежский Государственный Университет

3

ФОРМИРОВАНИЕ СТРУКТУРНЫХ ГРАФОВ ПРОИЗВОДСТВЕННЫХ КОРПОРАЦИЙ ПРИ РЕШЕНИИ ЗАДАЧ АНАЛИЗА ПОТОКОРАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЦЕЛЕВОГО ПРОДУКТА В ЭЛЕКТРОННОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ

Преп. Меерсон В.Э.

Воронежская государственная лесотехническая академия

4

КООРДИНАЦИОННОЕ УПРАВЛЕНИЕ ПРЕДПРИЯТИЯМИ ЭЛЕКТРОННОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ

зам. директора Крюков В.П.1, проф. Зольникова А.Н.1, аспирант Чубур К.А.2, аспирант Скляр В.А.2,

аспирант Нагорный И.В.2

1. ОАО «НИИ электронной техники», Воронеж,

2. Воронежская государственная лесотехническая академия

5

МИКРОСХЕМЫ ИМПУЛЬСНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НАПРЯЖЕНИЯ ДЛЯ СТАБИЛИЗИРОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ

инж. асп. Скляр В. А.,

инж. Суров И. А.,

инж. Родин А. В.

ОАО «НИИ электронной техники», Воронеж

6

МИКРОСХЕМЫ ШЕСТИКАНАЛЬНОГО

16-РАЗРЯДНОГО АЦП

инж. асп. Скляр В. А.

ОАО «НИИ электронной техники», Воронеж

Название доклада

Авторы доклада

Структуры

7

СБИС ДЛЯ КОСМИЧЕСКИХ СИСТЕМ С ДЛИТЕЛЬНЫМИ СРОКАМИ АКТИВНОГО ФУНКЦИОНИРОВАНИЯ РАЗРАБОТКИ НИИСИ РАН

Антонов А.А., Новожилов Е.А., Клишин А.В., к.т.н. Шунков В.Е., к.т.н. Краснюк А.А., д.т.н. Бобков С.Г.

НИИ Системных исследований РАН, Москва

8

Методика оценки эффективности отработочной позиции су РКТ

асп. А.В. Журавлев,

д.т.н. В.М. Антимиров

ФГУП НПО автоматики им. академика Н.А. Семихатова, Екатеринбург

9

MACC-CПЕКТРОМЕТРИЧЕСКИЙ МЕТОД ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ПАРОВ ВОДЫ В ПОДКОРПУСНОМ ПРОСТРАНСТВЕ МИКРОСХЕМ. КОМПЛЕКС МКМ-1

Федичкин И.Л.1,

Тюкальцев Р.В.2,

Никитина Т.А.2

ООО «ИТА»1, Санкт-Петербург,

ЗАО «Спектромасс»2, Санкт-Петербург

10

НЕОБХОДИМОСТЬ И МЕТОДОЛОГИЯ ОЦЕНКИ ТОЧНОСТИ НАНОДИНАМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ ПРИ УПРАВЛЯЕМОМ ЧАСТОТНОМ МОСТОВОМ RC-ПРЕОБРАЗОВАНИИ НА ГОРНО-ПРОМЫШЛЕННЫХ ОБЪЕКТАХ

Доц. Ткачева Т.А.

Московский государственный открытый университет

11

МЕТОДИКА ОТБРАКОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ДИАГНОСТИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ

асс. Козлова И.Н.1,

к.т.н. Тюлевин С.В.2,

проф. Пиганов М.Н.1

1Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королёва (национальный исследовательский университет)

2ФГУП «ГНПРКЦ «ЦСКБ-Прогресс»

12

ВОПРОСЫ ОБЕСПЕЧЕНИЯ КАЧЕСТВА ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ, ПРИМЕНЯЕМОЙ В КОСМИЧЕСКИХ АППАРАТАХ

Мантузов В.А.,

Орлов В.И.,

к.т.н. Федосов В.В.

ОАО «Испытательный технический центр – НПО ПМ», Железногорск

13

СХЕМОТЕХНИКА ИНТЕГРАЛЬНЫХ МОДУЛЕЙ СО СВЕТОДИОДНЫМИ МАТРИЦАМИ ДЛЯ РАСТРОВЫХ ФОТОПЛОТТЕРОВ И ДИСПЛЕЕВ

зав. лабораторией

к. т. н. Ткаченко В.В.

Объединенный институт проблем информатики НАН Беларуси, Минск

14

ИННОВАЦИОННЫЙ ПОДХОД К РЕШЕНИЮ ПРОБЛЕМ ОТЕЧЕСТВЕННОЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ ПРОГРАММЕ СОЮЗНОГО ГОСУДАРСТВА «МИКРОСИСТЕМОТЕХНИКА»

зам. директора по научной работе

к. т. н. Иванов Н. Н.

ОАО «Авангард», Санкт-Петербург

Название доклада

Авторы доклада

Структуры

15

ПРОБЛЕМЫ СЕРТИФИКАЦИИ ЭЛЕКТРОРАДИОИЗДЕЛИЙ ИНОСТРАННОГО ПРОИЗВОДСТВА И ПУТИ ИХ РЕШЕНИЯ

инж. Матюшев Р.А.,

д.т.н. Патраев В.Е.

ОАО «Информационные спутниковые системы» имени академика М.Ф. Решетнева», Красноярский край, Железногорск

16

ОСОБЕННОСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ ЭКБ ОТЕЧЕСТВЕННОГО ПРОИЗВОДСТВА В КОСМИЧЕСКИХ АППАРАТАХ РАЗРАБОТКИ ОАО «ИСС»

инженер Т.И. Мехтиев

ОАО «Информационные спутниковые системы» имени академика М.Ф. Решетнева», Красноярский край, Железногорск

Направление 6. Интегрированные интеллектуальные системы радиолокации, навигации, связи будущего. Параллельные вычисления и грид-технологии в перспективных радиотехнических системах: системы дистанционного зондирования Земли, ГЛОНАСС и. т. д.

Название доклада

Авторы доклада

Структуры

1

О ВОЗМОЖНЫХ ИСТОЧНИКАХ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫХ ОШИБОК КОСМИЧЕСКОЙ НАВИГАЦИИ, GPS И ГЛОНАСС, ЛАЗЕРНОЙ ЛОКАЦИИ И РАДИОЛОКАЦИИ

инж. С.А. Семиков

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

2

ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ПОМЕХ НЕЛИНЕЙНОГО ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЧАСТОТЫ В “БЛИЖНЕЙ” ЗОНЕ И ФОРМУЛИРОВКА ТРЕБОВАНИЙ К ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЕ

асп. Грушин П. И.1,

доц. Логинов В.И.2,

проф. Ямпурин Н.П.1

Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева1,

Волжская государственная академия водного транспорта 2

3

МЕТОДЫ УСТРАНЕНИЯ НЕОДНОЗНАЧНОСТИ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИНЫ ПЛЁНКИ НЕФТИ НА ПОВЕРХНОСТИ ВОДЫ РАДИОМЕТРИЧЕСКИМ ПОЛЯРИЗАЦИОННЫМ МЕТОДОМ

зав. сектором Ракуть И.В.

Научно-исследовательский радиофизический институт» (НИРФИ), Нижний Новгород

4

интегральный Доплеровский метод

ИЗМЕРЕНИЯ УГЛОВЫХ КООРДИНАТ В ПРОСВЕТНЫХ РАДИОЛОКАТОРАХ

доц., к.т.н. Ковалев Ф.Н.

Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева

5

РОССИЙСКИЕ УНИВЕРСАЛЬНЫЕ МИКРОПРОЦЕССОРЫ «ЭЛЬБРУС»: РЕШЕНИЯ, СООТВЕТВУЮЩИЕ ПЕРЕДОВЫМ МИРОВЫМ ТЕНДЕНЦИЯМ

к.т.н. Ким А.К., к.т.н., с.н.с. Волконский В.Ю., к.т.н. Груздов Ф.А., Парахин Ю.Н., д.т.н., проф. Семенихин С.В., Слесарев М.В., д.т.н. Фельдман В.М., Трушкин К.А.

ЗАО «МЦСТ», Москва

6

СОВРЕМЕННЫЕ РАЗРАБОТКИ ЗАО «ПКК МИЛАНДР» ДЛЯ АППАРАТУРЫ СПЕЦИАЛЬНОГО И ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ

зам. директора

к. т. н. Новосёлов А. Ю.

ЗАО «ПКК Миландр», Зеленоград

7

РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ МАТЕМАТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА МЭМС-АКСЕЛЕРОМЕТРА И ЕГО СХЕМОТЕХНИЧЕСКАЯ РЕАЛИЗАЦИЯ

д.т.н., проф. Тимошенков С.П., к.т.н., доц. Шалимов А.С.,

асп. Зуев Е.В.

Московский институт электронной техники, Зеленоград

Направление 7. Вопросы профессионального образования в нано-, микро- и радиоэлектронике.

Название доклада

Авторы доклада

Структуры

1

МИКРОВОЛНОВАЯ ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА. КУРС ЛЕКЦИЙ ДЛЯ СТУДЕНТОВ-ФИЗИКОВ

Проф. Пирогов Ю.А

Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова

2

ПРОБЛЕМЫ ПОДГОТОВКИ СПЕЦИАЛИСТОВ В ОБЛАСТИ АКУСТОЭЛЕКТРОНИКИ В ВЫСШЕЙ ШКОЛЕ

к. т. н., доц. Балышева О.Л.

Санкт-Петербургский государственный университет аэрокосмического приборостроения

3

СТРАТЕГИЯ РАЗВИТИЯ ОБРАЗОВАНИЯ В ОБЛАСТИ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ В СОВРЕМЕННЫХ УСЛОВИЯХ

Доцент Анциферова В.И., старший преподаватель Коровина О.В.

Воронежская государственная лесотехническая академия

4

СИСТЕМА ОЦЕНКИ КАЧЕСТВА ПОДГОТОВКИ СПЕЦИАЛИСТОВ В ОБЛАСТИ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ В СОВРЕМЕННЫХ УСЛОВИЯХ

Доцент Анциферова В.И., старший преподаватель Коровина О.В.

Воронежская государственная лесотехническая академия

5

ЗАКОНЫ ИЗЛУЧЕНИЯ В ТРЕХМЕРНОМ ПРОСТРАНСТВЕ

проф. Денисов Б.Н.

Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, Саранск

6

О НЕОБХОДИМОСТИ ВВЕДЕНИЯ ФРАКТАЛЬНОЙ ПАРАДИГМЫ В ПОДГОТОВКУ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ СПЕЦИАЛИСТОВ В ОБЛАСТИ РАДИОФИЗИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

д.ф.-м.н., проф., академик АИН им. А.М. Прохорова и РАЕН Потапов А.А.

Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва

7

УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС ПО ПРОЕКТИРОВАНИЮ СБИС

доц. к.т.н. Певцов Е.Ф., доц. к.т.н. Деменкова Т.А., асп. Шнякин А.А.

Московский институт радиотехники, электроники и автоматики

8

ОСОБЕННОСТИ МЕТОДИКИ ИЗУЧЕНИЯ «ОСНОВ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ» В ТЕХНИЧЕСКИХ ВУЗАХ, ОРИЕНТИРОВАННЫХ НА ПОДГОТОВКУ СПЕЦИАЛИСТОВ ПО ЭКСПЛУАТАЦИИ И РАЗВИТИЮ СОВРЕМЕННЫХ ТЕХНИЧЕСКИХ СРЕДСТВ

доц., к.т.н. Туляков Ю.М.

Волго-Вятский Филиал Московского технического университета связи и информатики, Нижний Новгород

Направление 8. Нано-, микро- и радиоэлектроника в медицине. Грид-технологии в телемедицине.

Название доклада

Авторы доклада

Структуры

1

ОСНОВНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ ДЛЯ ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОГО ТРЕНАЖЁРА ПО ВОССТАНОВЛЕНИЮ ОПОРНО-ДВИГАТЕЛЬНОЙ СИСТЕМЫ ЧЕЛОВЕКА

доц., к.т.н., доц. Лавлинский В.В., асп. Бибиков Д.В., асп. Буров Р.Б., асп. Табаков Ю.Г.

Воронежская государственная лесотехническая академия

2

ПРИМЕНЕНИЕ СВЧ ТЕХНОЛОГИИ СВЕРХНИЗКОЙ ИНТЕНСИВНОСТИ И ОЗОНИРОВАНИЯ В СЕЛЬСКОМ ХОЗЯЙСТВЕ

доц., к. б. н. Гаврилова А. А.,

проф., д. б. н. Чурмасов А. В.,

доц., к. б. н. Егорашин В. Г.,

к. т. н. Кревский М. А.1

Нижегородская государственная сельскохозяйственная академия,

ООО «Элм электроника-медицина»1, Нижний Новгород

3

ПРОГРАММНО-АППАРАТНЫЕ КОМПЛЕКСЫ РЕАЛЬНОГО ВРЕМЕНИ НОВОГО ТИПА ДЛЯ МОНИТОРИНГА И ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОСТОЯНИЯ ОРГАНИЗМА

Фомин Л.Б., Вдовина Н.В., к. м. н. Радаева Т.М., Степанова Е.Ю., Денисов А.С., Капля Э.И., д. м. н. Борисов В.И

Нижегородская государственная медицинская академия Минздрава России, Специализированная кардиохирургическая клиническая больница



Похожие документы:

  1. Название доклада (6)

    Документ
    ... Приложение Требования к оформлению доклада НАЗВАНИЕ ДОКЛАДА (заглавные буквы, 14 ... гарантируется); подрисуночные надписи и названия рисунков необходимо сгруппировать с сами ... : Таблица располагаются аналогично рисункам. Название и номер таблицы (к примеру, ...
  2. Название доклада (5)

    Документ
    Тезисы доклада Начало формы 1 НАЗВАНИЕ ДОКЛАДА: ИНФОРМАЦИОННАЯ ПОДДЕРЖКА ... E-mail: tv@ 8 АННОТАЦИЯ В докладе рассматриваются возможности информационной поддержки формирования ... университета, включая филиалы: полное название, место в иерархии, фамилия, ...
  3. Название доклада (8)

    Документ
    Тезисы доклада Начало формы НАЗВАНИЕ ДОКЛАДА: (на русском языке) – ... in education ТЕКСТ ТЕЗИСОВ ДОКЛАДА: Введение Принятие Федеральных государственных ... «Криптография», «Компьютерные сети». Из названий данных работ явствует их междисциплинарность ...
  4. Название доклада (20)

    Документ
    Тезисы доклада Начало формы НАЗВАНИЕ ДОКЛАДА: Информационно-логическая ... , .NET ТЕКСТ ТЕЗИСОВ ДОКЛАДА: Доклад посвящен формализации предметной области ... национального исследовательского университета). В докладе в соответствии с законодательством России ...
  5. Название доклада (3)

    Документ
    Тезисы доклада Начало формы 1 НАЗВАНИЕ ДОКЛАДА: ВОПРОСЫ АВТОМАТИЗИРОВАННОЙ РАССЫЛКИ ... ОГУ организационно-кадровой структуры вуза (название подразделения, данные руководителя, и ... поиск элементов адресной книги по названию подразделения, фамилии, имени, ...

Другие похожие документы..