Поиск

Полнотекстовый поиск:
Где искать:
везде
только в названии
только в тексте
Выводить:
описание
слова в тексте
только заголовок

Рекомендуем ознакомиться

'Документ'
03. 015 11 Синяговский Игорь Николаевич +7978004574 0 .03. 015 1 Собецкий Алексей Трофимович +797877781 0 0 .03. 015 13 Степаненко Сергей Леонидович +...полностью>>
'Документ'
1 Н.С. Гумилёв. «Капитаны» Понятие стихотворного цикла. Поэтические средства создания характеров. Понятие «литературный тип». Мастерство поэтической ф...полностью>>
'Документ'
1.ЦИТОЛОГИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ НАСЛЕДСТВЕННОСТИ. МИТОЗ И МЕЙОЗ.Промежуток жизни клетки от ее обр-ия до деления =клеточн.цикл =митоз+интерфаза (G1 – пресинтет...полностью>>
'Реферат'
Реферат – это работа с источником права (анализ его статей). При написании реферата необходимо ознакомится с соответствующими разделами учебника или у...полностью>>

Главная > Документ

Сохрани ссылку в одной из сетей:
Информация о документе
Дата добавления:
Размер:
Доступные форматы для скачивания:

Токовое зеркало

Рис. 1 Схема простого токового зеркала на биполярных транзисторах

Запишем значение управляющего тока:

Найдем значение выходного тока в зависимости от тока управления. Т.к. в микроэлектронном исполнении транзисторы практически одинаковы и для схемы простого токового зеркала , следовательно . А управляющий ток определяется как . С учетом двух последних выражений можно записать:

, отсюда ;

Ф. 1

при =100 отношение , т.е. разбаланс составляет 2%.

при достаточном большом  . Благодаря последнему свойству эта схема источника тока и получила свое название - «токовое зеркало».

Предыдущий анализ транзисторной пары токового зеркала был проведён в предположении полной идентичности обоих транзисторов. Рассмотрим, что происходит в реальной ситуации, когда это предположение не выполняется. Например, даже у 2-х ИС - транзисторов идентичной конструкции, которые расположены в непосредственной близости друг к другу на одном кристалле ИС, существуют небольшие различия в электрических характеристиках. Наиболее важное различие между двумя идентичными транзисторами состоят в ширине базы W.

Это различие в ширине базы проявляется в различных коэффициентах усиления по току и становится причиной появления напряжения смещения Uсм.

Для схемы ТЗ различия в усилении по току не играют большой роли вследствие малости базового тока в то время как влияние Uсм может оказаться существенным.

Разброс параметров транзисторов обусловлен различной шириной базы и выражается в различных значениях IК1, IК2 при фиксированном UБЭ. Напряжение смещения определяется для пары транзисторов как разница базоэмиттерных напряжений при одинаковых токах коллектора:

Ток коллектора связан с базо-эмиттерным напряжением основным соотношением для биполярного транзистора - уравнением Эберса-Молла:

;

Запишем выражения для токов коллектора VT1 и VT2 через уравнение Эберса-Молла:

Найдем отношение токов коллектора:

Типичное значение напряжения смещения 1-3 мВ. При напряжении смещения 1мВ разбаланс токов коллектора для пары транзисторов составляет:

Ф. 2

Выходная проводимость определяется как наклон выходной характеристики биполярного транзистора включенного по схеме с ОЭ:

Найдем относительное изменение выходного тока по формуле:

Ф. 3

Коэффициент влияния источника питания определяется следующим образом:

т.к. ,

Ф. 4

то производная от выходного тока по напряжению питания будет иметь вид:

,

а значение коэффициента влияния источника питания КВИП можно определить по формуле:

Таким образом при увеличении UПИТ прямо пропорционально увеличивается IВЫХ



Похожие документы:

  1. Токовое зеркало Уилсона

    Документ
    ... рассчитывается аналогично схеме простого токового зеркала: Ф. 1 Расчет значения ... 2 Динамическая выходная проводимость токового зеркала Уилсона Изменение выходного тока ... 2 Выходная динамическая проводимость для токового зеркала Уилсона в (1+) раз меньше ...
  2. Схемотехника аналоговых электронных устройств учебное пособие

    Реферат
    ... динамической нагрузки так называемое токовое зеркало, образованное транзисторами и ( ... инвертирующем, т.е. . Для снижения токовой ошибки в неинвертирующем усилителе, аналогично ... включении и происходит логарифмирование токового сигнала по входу Y. ...
  3. Курс лекций Чебоксары 2010 Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования

    Документ
    ... усиления и входного сопротивления. Применение токового зеркала в дифференциальном каскаде. Частотные искажения ... учитывающий физические свойства прибора; n - показатель токовой зависимости (n12); =0,52 – коэффициент частотной зависимости ...
  4. Программа государственного экзамена по направлению подготовки бакалавров 210200 проектирование и технология

    Программа
    ... каскада. 7. Принцип термостабилизации режима транзистора «токовое зеркало». 8. Входные и выходные сопротивления повторителей эмиттерного ...
  5. Программа государственного экзамена по специальности подготовки дипломированных специалистов 210201 «проектирование и технология радиоэлектронных средств»

    Программа
    ... каскада. 7. Принцип термостабилизации режима транзистора «токовое зеркало». 8. Входные и выходные сопротивления повторителей эмиттерного ...

Другие похожие документы..